TlBrの結晶育成方向の結晶方位分布の観察

Observation of crystal origentation distribution of TlBr in crystal growth direction

渡辺 賢一*; 人見 啓太朗*; 野上 光博*; 前田 茂貴   ; 尾鍋 秀明*

Watanabe, Kenichi*; Hitomi, Keitaro*; Nogami, Mitsuhiro*; Maeda, Shigetaka; Onabe, Hideaki*

TlBrは高い原子番号・密度、広いバンドギャップを有する化合物半導体で、室温動作可能かつ高い検出効率を有するガンマ線検出器材料として開発が進められている。現状での課題は、デバイス作製における歩留まりの向上であり、安定に高品質なデバイスを製作可能なプロセスの確立が求められている。結晶育成プロセスは、良質な検出器を製作する上で、最も重要なプロセスの一つであり、結晶がどのように育成されていくかを理解することは非常に重要である。今回は、結晶育成方向について、結晶方位分布を観察し、結晶成長に関する知見を得ることを試みた。

TlBr is a compound semiconductor with a high atomic number and density, and a wide bandgap. TlBr detector is being developed as a gamma-ray detector material that can operate at room temperature and has high detection efficiency. The current issue is to improve the yield in device manufacturing, and it is required to establish a process that can stably manufacture high quality devices. The crystal growth process is one of the most important processes in producing a good quality detector, and it is very important to understand how crystals are grown. This time, we tried to obtain knowledge about crystal growth by observing the crystal orientation distribution in the crystal growth direction.