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水素照射により金属化されたSrTiO$$_3$$において観測される局在電子の起源について

On the origin of localized electrons in SrTiO$$_3$$ metallized by hydrogen irradiation

伊藤 孝   

Ito, Takashi

近年、水素原子・イオン打ち込み技術の発展に伴い、熱力学的固溶限を超えて大量の水素を固体材料の格子間隙に強制的に導入できるようになってきた。これにより、絶縁体のホストを金属化するなどの振り幅の大きい物性制御が可能になりつつある。それとともに、低濃度ドープでは認知されなかった余剰電子の奇妙な振る舞いが明かになってきた。本稿では、代表的な電子材料の1つであるSrTiO$$_3$$を水素照射により金属化した際に、遍歴電子とともに局在電子が存在する痕跡が観測されたという事実に注目し、この局在電子の起源について$$mu^+$$SR実験と密度汎関数理論(DFT)計算の結果に基づいて議論する。

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