水素照射により金属化されたSrTiOにおいて観測される局在電子の起源について

On the origin of localized electrons in SrTiO metallized by hydrogen irradiation

近年、水素原子・イオン打ち込み技術の発展に伴い、熱力学的固溶限を超えて大量の水素を固体材料の格子間隙に強制的に導入できるようになってきた。これにより、絶縁体のホストを金属化するなどの振り幅の大きい物性制御が可能になりつつある。それとともに、低濃度ドープでは認知されなかった余剰電子の奇妙な振る舞いが明かになってきた。本稿では、代表的な電子材料の1つであるSrTiOを水素照射により金属化した際に、遍歴電子とともに局在電子が存在する痕跡が観測されたという事実に注目し、この局在電子の起源についてSR実験と密度汎関数理論(DFT)計算の結果に基づいて議論する。

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使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:	めそん
巻	:
号	:	56
ページ数	:	p.21 - 26
発行年月	:	2022/09
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キーワード	:	SrTiO; 水素; ミュオン; DFT計算

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使用施設	:	J-PARC物質・生命科学実験施設 ;大型計算機・スパコン(東海)
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登録番号 : AA20220652
抄録集掲載番号 : 51000067
論文投稿番号 : 26060

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