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Observation of radiation damage induced by single-ion hits at the heavy ion microbeam system

重イオンマイクロビーム装置におけるシングルイオンヒット技術を用いた個別の照射損傷の観察

神谷 富裕; 酒井 卓郎; 平尾 敏雄; 及川 将一*

Kamiya, Tomihiro; Sakai, Takuro; Hirao, Toshio; Oikawa, Masakazu*

原研高崎の重イオンマイクロビーム・シングルイオンヒットシステムを用いて、Si PINダイオードの局所領域にMeVエネルギーの重イオンを繰り返し入射することにより過渡電流波高をすべて計測し、照射損傷に由来する波高の減衰を観察した。その減衰傾向を特徴づけるため、統計関数ワイブル分布関数を導入し、データ解析を行った。$$mu$$m$$^{2}$$レベルで照射面積を変化させた場合、明らかな減衰傾向の違いが見られ、実験データから照射損傷と電荷収集の平面方向の広がりに関する情報を引出し得ることが示唆された。これらの測定を再現するために単純なモデルによるモンテカルロシミュレーションも試みた。発表では、照射実験、データ解析及びシミュレーションについて述べ議論する。

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