Frank, T.*; Weidner, M.*; 伊藤 久義; Pensl, G.*
Frank, T.*; Weidner, M.*; Ito, Hisayoshi; Pensl, G.*
n型六方晶炭化ケイ素(4H-及び6H-SiC)単結晶に電子線やイオン(H,He,Ne,Ar)照射で形成される欠陥をDLTS(Deep level transient spectroscopy)法を用いて調べた。電子線照射4H-SiCの等時アニールより、E
-630MeVに欠陥準位を有するZ
/Z
センターは、30分間アニールでは1400
以上、90分間アニールでは900以上で消失し始める。欠陥消滅に対して1次反応を仮定すると、Z/Zセンターのアニールの活性化エネルギーとして2.1eVが得られた。イオン照射6H-SiCでは、アニール後3種類の欠陥(E/E,Z/Z,R)が観測された。いずれの欠陥も照射後700アニールで発生し、800で最高濃度となり、1000以上では減少する。欠陥全量がほぼ消滅する温度は、Rセンターは1000、Z/Zは1400、E/Eは1700であった。これらの欠陥の800での存在割合は照射イオン種に依存するが、1400以上でのアニール後はイオン種に依らずE/Eのみが残存することがわかった。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 353-356 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.439 - 442 |
発行年月 |
: | 2001/00 |
発表会議名 |
: | 3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM-2000) |
開催年月 |
: | 2000/09 |
開催都市 |
: | Kloster Banz |
開催国 |
: | Germany |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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Altmetrics |
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