光検出素子及び固体撮像装置

【課題】電界集中を抑えつつ、半導体界面の空乏化抑制により暗電流抑圧を完全なものとする光検出素子を提供する。【解決手段】P型の基体領域1と、基体領域1とP-N接合を構成するN型の電荷生成埋込層5と、電荷生成埋込層5に接したP型のシールド層6と、電荷生成埋込層5に接したN+型の電荷読出領域8と、シールド層6に接したフォトゲート絶縁膜4Bと、フォトゲート絶縁膜4Bの電荷読出領域8側の端部上に設けられたN型の緩和領域部14-1と、緩和領域部14-1に連続してフォトゲート絶縁膜4Bの上に設けられたP型の主透明電極層14-2を備える。主透明電極層14-2の電位がシールド層6の表面に及ぼす静電ポテンシャル効果により、シールド層6の表面にP型の電荷をピンニングする。

Representative country of application	:	日本
Application number	:	2022-135450
Publication number	:	2024-32005
Patent number	:
Date of filing	:	2022/08/27
Date of publication	:	2024/03/08
Date of patent	:
PCT application number	:
PCT patent number	:
EPC application number	:
EPC patent number	:
International patent classification	:	H01L 27/146(2006.01):H01L 31/10 (2006.01):H04N 25/63 (2023.01):H04N 25/76 (2023.01)
Relevant patent	:	特開 2018-182044
Relevant other documents	:
Published unexamined patent application	:	P1/P53620A.pdfP53620A.pdf
Link for Patent Gazette	:
Licensable Patent Information Database	:
Press Release	:
Article of JAEA R&D Review	:

Access From 2021.3.1	:	- Accesses

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