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保田 諭; 高橋 諒丞*; 逢坂 凌*; 熊谷 諒太*; 宮田 耕充*; 岡田 晋*; 早水 祐平*; 村越 敬*
Small, 13(31), p.1700748_1 - 1700748_8, 2017/08
被引用回数:25 パーセンタイル:72.37(Chemistry, Multidisciplinary)CVD法を用いて単層のMoSおよびMoSeをAu表面上に合成し、Au(111)結晶表面との接触が面外方向の歪みを誘起すること、多結晶AuおよびSiO表面では、歪みが誘起しないことを明らかにした。STM測定によって、歪み誘起の原因は、Au(111)結晶原子とカルコゲン原子の位置関係によって生じる相互作用に起因していることが示唆された。また、この歪みが、MoSおよびMoSeの電子状態を大きく変調することを明らかにした。