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A.Li*; H.Huang*; D.Li*; S.Zheng*; H.Du*; S.Zhu*; 岩田 忠夫
Japanese Journal of Applied Physics, 32(3), p.1033 - 1038, 1993/03
被引用回数:8 パーセンタイル:44.65(Physics, Applied)中性子照射したSiについて陽電子寿命測定を行い、100~800Cにおける欠陥のアニーリングを調べた。陽電子寿命スペクトルの2成分フィッティングを行った。第1成分は完全結晶中のfreeな陽電子及びmonovacancy-substitutional oxygen complexesに捕獲された陽電子の平均に対応し、第2成分はdivacancyまたはdivacancy-substitutional oxygen complexes及びquadrivacancy-substitutional oxygen complexesに捕獲された陽電子の平均に対応するものであることを示した。2成分データをトラッピング模型によって解析し、これらのvacancy型欠陥による陽電子捕獲率(欠陥濃度に比例する)を求めた。これらの欠陥のアニーリングを議論した。
S.Zhu*; A.Li*; S.Zheng*; H.Huang*; D.Li*; 岩田 忠夫
Chin. J. Nucl. Phys., 14(2), p.166 - 168, 1992/00
シリコンに1.4510n/cm及び3.110n/cmの中性子照射を行い、陽電子寿命の測定をアニーリング温度(343~1073K)の関数として行った。短寿命成分は、バルク中及び酸素-monovacancy対にトラップされた陽電子の寿命の平均である。長寿命成分はdivacancyあるいはquadrivacancyによるものである。照射量が3.110n/cmの場合にはquadrivacancyによるものは観測されなかった。