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A Positron lifetime study of defects in neutron-irradiated Si

中性子照射したSiにおける欠陥の陽電子寿命の研究

A.Li*; H.Huang*; D.Li*; S.Zheng*; H.Du*; S.Zhu*; 岩田 忠夫

A.Li*; H.Huang*; D.Li*; S.Zheng*; H.Du*; S.Zhu*; Iwata, Tadao

中性子照射したSiについて陽電子寿命測定を行い、100~800$$^{circ}$$Cにおける欠陥のアニーリングを調べた。陽電子寿命スペクトルの2成分フィッティングを行った。第1成分は完全結晶中のfreeな陽電子及びmonovacancy-substitutional oxygen complexesに捕獲された陽電子の平均に対応し、第2成分はdivacancyまたはdivacancy-substitutional oxygen complexes及びquadrivacancy-substitutional oxygen complexesに捕獲された陽電子の平均に対応するものであることを示した。2成分データをトラッピング模型によって解析し、これらのvacancy型欠陥による陽電子捕獲率(欠陥濃度に比例する)を求めた。これらの欠陥のアニーリングを議論した。

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分野:Physics, Applied

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