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田川 雅人*; 横田 久美子*; 裙本 晋之助*; 十河 千恵*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿
Applied Physics Letters, 91(3), p.033504_1 - 033504_3, 2007/07
被引用回数：5 パーセンタイル：22.64(Physics, Applied)Si(001)表面のSi原子の直接酸化反応をエリプソメトリ及び放射光光電子分光法で研究した。その場エリプソメトリ測定から、2.7-5.0eVの運動エネルギーを有する酸素原子ビームでは酸化膜厚が0.6-0.7nmまで直線則に従うが、1.8eVの運動エネルギーでは0.3nmで直線則から外れることが明らかになった。これらの結果は、2.7-5.0eVの運動エネルギーを有する酸素原子ビームを用いるとSiのバックボンドが直接酸化されることを示唆している。
田川 雅人*; 十河 千恵*; 横田 久美子*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 志村 考功*
Applied Physics Letters, 88(13), p.133512_1 - 133512_3, 2006/03
被引用回数：8 パーセンタイル：31.28(Physics, Applied)放射光光電子分光法(SR-PES)と結晶切断ロッド(CTR)散乱法を用いて5eVの原子状酸素ビームで室温酸化されたSi(001)表面の極薄酸化膜を調べた。SR-PESスペクトルからはサブオキサイドが界面よりも表面に多いことがわかった。CTR散乱データからは(1 1 0.3-0.8)近傍の強度が小さいことから酸化膜のSiO
はあまり配列構造を取っていないことがわかった。これらは格子間Si原子の逆拡散で説明できる。
film formed by a hyperthermal O-atom beam at room temperature田川 雅人*; 十河 千恵*; 横田 久美子*; 鉢上 隼介; 吉越 章隆; 寺岡 有殿
Japanese Journal of Applied Physics, 44(12), p.8300 - 8304, 2005/12
被引用回数：5 パーセンタイル：21.82(Physics, Applied)神戸大学が持つ酸素原子ビーム装置を用いてSi(001)基板上に室温で作製したシリコン酸化膜をSPring-8の原研軟X線ビームラインで光電子分光解析した。酸素原子ビームで作製したシリコン酸化膜では通常の熱酸化膜に比べてサブオキサイドが少ないことが明らかになった。
田川 雅人*; 十河 千恵*; 宮階 優*; 横田 久美子*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿
no journal, ,
超熱エネルギー領域の運動エネルギーを持つ原子状酸素ビームを用いてSi(001)表面に形成した極薄酸化膜を放射光を活用した光電子分光法で分析した。極薄酸化膜の形成は神戸大学の実験装置を用いて行い、光電子分光は原研の軟X線ビームラインの表面化学実験ステーションを用いて行った。酸素ガスを用いた熱酸化膜と比較するとサブオキサイドの少ない良質な酸化膜であることが明らかになった。
田川 雅人*; 十河 千恵*; 横田 久美子*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿
no journal, ,
数eVの運動エネルギーを持つ酸素原子をSi(001)に照射した場合の線型膜成長領域における酸化曲線の原子状酸素運動エネルギー依存性について報告する。実験にはレーザーデトネーション原子ビーム装置を用いた。今回の実験では1.8-5.0eVの並進エネルギーを持つ酸素原子を水素終端したSi(001)表面上に室温で照射し、形成された酸化膜厚をエリプソメトリによりその場測定した。並進エネルギー1.8, 2.7, 3.8, 5.0eVの酸素原子を照射した場合の初期酸化膜成長曲線から、いずれの場合も酸化膜成長初期には原子状酸素の強度に対して直線的に酸化膜厚が増大することがわかった。初期酸化直線の傾きは並進エネルギーの増加に伴い増大した。また、膜成長が直線則から外れる酸化膜厚は1.8eVでは約0.35nm、それ以上では0.7nmであることがわかった。SPring-8のBL23SUで測定した放射光光電子分光の解析から、酸化膜厚が0.6nmの状態でもSiの状態は主としてSi
, Si
であり、それ以上の酸化膜厚ではSiのみが増加していくことが示された。これらの結果より並進エネルギー2.7eV以上の場合には、サブサーフェイスのSi原子のバックボンドが直接酸化されると考えられる。
