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論文

Enhanced damage buildup in C$$^{+}$$-implanted GaN film studied by a monoenergetic positron beam

Li, X. F.*; Chen, Z. Q.*; Liu, C.*; Zhang, H.; 河裾 厚男

Journal of Applied Physics, 117(8), p.085706_1 - 085706_6, 2015/02

https://doi.org/10.1063/1.4913523
 被引用回数：23 パーセンタイル：67.73(Physics, Applied)

280keV炭素イオン注入によりGaN中に導入される損傷を低速陽電子ビームを用いて研究した。陽電子消滅$$gamma$$線エネルギースペクトルのドップラー拡がりから、原子空孔クラスターが導入されていることが分かった。800$$^{circ}$$Cのアニールにより、それらはマイクロボイドに成長し、1000$$^{circ}$$Cのアニールでも残留することが明らかになった。透過電子顕微鏡観察の結果、損傷層は非晶質化していることが分かった。GaN中におけるイオン注入によるマイクロボイドの形成と非晶質化は、炭素イオンに特有の現象と考えられる。

論文

Mesoscopic structure of SiC fibers by neutron and X-ray scattering

鈴谷 賢太郎; 古坂 道弘*; 渡辺 昇*; 大沢 真人*; 岡村 清人*; 柴田 薫*; 神山 智明*; 鈴木 謙爾*

J. Mater. Res., 11(5), p.1169 - 1178, 1996/05

ポリカルボシランからつくられるSiC繊維のメゾスコピック構造をX線と中性子線による回折および小角散乱によって調べた。4~10$AA$程度の大きさのマイクロボイドが初めて観察された。これは、散乱ベクトルQが0.1~1$AA$^{-1}$$の一般の回折計や小角散乱装置では観察できない領域に、あらわれる。$$beta$$-SiC粒子の大きさと体積分率は、作製方法(酸化融化法と電子線照射不融化法)と焼成温度によって大きく変化する。その変化は、マイクロボイドと同様に焼成中に発生するガスと密接な関係があることがわかった。必要な機械的強度を得るにはこれらのパラメータをコントロールしながらマイクロボイドと$$beta$$-SiC粒子の大きさを調整する必要がある。このような中角度領域のX線および中性子散乱はSiC繊維のような複雑なメゾスコピック構造を持った材料の研究に大変有効である。

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