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来島 利幸*; 中瀬 吉昭
Radiat. Meas., 26(2), p.159 - 168, 1996/00
被引用回数：4 パーセンタイル：39.37(Nuclear Science & Technology)パソコンレベルで、入射電子の単一散乱モデルに基づく挙動を計算できるモンテカルロコードを開発した。多層構造の物質に入射した300keV電子のエネルギースペクトル、角度分布、深部吸収線量分布を計算した。一部の計算結果については、実測値と比較しよい一致を確認した。試料を静止した状態で照射した場合と移動状態で照射した場合について比較し、基材の影響等を明らかにすることができた。
