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報告書

低雑音増幅器と雑音性能(委託研究)

山岸 秀志*; 藤 健太郎

JAEA-Research 2011-050, 16 Pages, 2012/10

JAEA-Research-2011-050.pdf:1.47MB

高速,高位置分解能二次元ガス中性子検出器システムを実現するには、高速低雑音ASICが必要である。高速低雑音ASICを開発するため、これに必要な高いg$$_{rm m}$$で低雑音のp-MOSFET、MP8とMP16を提案した。本稿では簡単な低雑音増幅器(LNA)を提案し、LNAにおけるノイズパワーと雑音指数(NF)の計算法を示した。また、LNAにMP8及びMP16を適用してNFを計算評価し、これらのp-MOSFETが高速低雑音ASIC用として十分な性能を有していることを確認した。

報告書

特定用途向け集積回路(ASIC)用MOSFETの雑音評価(委託研究)

山岸 秀志*; 藤 健太郎

JAEA-Technology 2010-030, 16 Pages, 2010/09

JAEA-Technology-2010-030.pdf:1.38MB

J-PARCのような強力パルス中性子源を用いた中性子散乱実験装置に使用される二次元中性子検出器システムでは、数100チャンネルに及ぶ微小信号をリアルタイムで計測し、データを記録することが要求される。二次元中性子検出器の高速性と高位置分解能の両方を達成するためには多チャンネル微小信号を高いS/Nで個別に読み取り、信号処理することが要求される。高速かつ低雑音の多チャンネル計測システムを実現するには高性能ASICの開発が不可欠である。このASIC開発には高いgmのMOSFETエレメントが必要である。このため、これに必要な高いgmで低雑音のMOSFET構造の設計とその雑音評価を行った。

口頭

個別読み出し型中性子二次元ガス検出器の開発,2; MWPC位置検出分解能のシミュレーション評価

山岸 秀志*; 藤 健太郎; 坂佐井 馨; 中村 龍也; 曽山 和彦

no journal, , 

J-PARCの中性子散乱実験装置に適応する高分解能MWPC型$$^{3}$$Heガス二次元中性子検出器の開発を行っている。$$^{3}$$HeとCF4混合ガスの高圧封入下における中性子位置検出分解能をシミュレーション計算し、実験値と比較評価した。本発表ではこれらの結果について報告する。

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