軟X線磁気円二色性による希薄磁性半導体GaMnAsのMnイオンの磁気的相互作用の研究

竹田 幸治; 小林 正起*; 岡根 哲夫; 大河内 拓雄*; 岡本 淳*; 斎藤 祐児; 小林 啓介*; 山上 浩志; 藤森 淳*; 田中 新*; et al.

放射光, 22(4), p.202 - 209, 2009/07

http://ci.nii.ac.jp/naid/10025009601

SPring-8 BL23SUで改良・整備を進めてきた軟X線磁気円二色性装置を用いて、希薄磁性半導体GaMnAsのMn元素の磁気的特性を系統的な温度・磁場依存性測定を行って調べた。その結果、Gaと置換されたMnイオンと結晶格子の隙間に入り込んだMnイオンの間には反強磁性相互作用が存在しており、キュリー温度と結晶格子の隙間に入り込んだMnイオンの量とは明らかに相関していて、Gaと置換されたMnイオンの強磁性秩序を結晶格子の隙間に入り込んだMnイオンが阻害していることがわかった。

もんじゅプラント熱過渡条件の裕度に関する検討

大矢 哲夫*; 岩田 耕司; 今津 彰; 工藤 文雄*

PNC TN941 85-78, 97 Pages, 1985/04

PNC-TN941-85-78.pdf:2.63MB

高速原型炉「もんじゅ」の設備設計に用いるプラント熱過渡条件は,高速増殖炉開発本部原型炉建設部原子炉課において種々の検討が行われ,設定されている。▲こうして設定された設計用プラント熱過渡条件がプラント解析から得られる解析結果(通称生カーブ)と比較して安全側の評価を与えることを確認し,かつその安全裕度を把握することは設計用プラント熱過渡条件の妥当性を示す上で重要である。本報はこの目的のために実施した原子炉容器入口ノズル及びIHX1次側入口ノズルの裕度評価結果を報告するものである。▲解析には実機形状をもとに軸対称化したモデルを用い,設計用プラント熱過渡条件及び生カーブに対する熱伝導解析と弾性応力解析を実施した。▲この結果,(膜+曲げ)応力強さで見た場合,2つのモデルの全ての評価ラインにおいて設計用プラント熱過渡条件による値が生カーブによる値より大きくなり,原子炉容器入口ノズルモデルの場合で1.523.01の安全裕度,IHX1次側入口ノズルモデルの場合で1.121.84の安全裕度をそれぞれ有することが明らかになった。▲

軟X線磁気円二色性による希薄磁性半導体GaMnAsの熱処理前後におけるスピン電子状態変化の研究

竹田 幸治; 岡根 哲夫; 藤森 淳*; 斎藤 祐児; 山上 浩志; 大矢 忍*; Hai, P. N.*; 田中 雅明*

no journal, , 

GaMnAsのキュリー温度()が熱処理によって劇的に上昇することはよく知られているが、電子状態の観点からの理解は進んでいない。そこで、われわれは軟X線磁気円二色性(XMCD)を用いて、熱処理前後でのMn 3d電子のスピン電子状態の変化を調べた。実験は大型放射光施設SPring-8のBL23SUで実施した。熱処理なしのGaMnAs(x=0.04, =65K)と、その試料の一部を2時間270Cで熱処理したGaMnAs(=120K)の二つの試料に対して、Mn L(2p3d)吸収端でのXMCDスペクトルの温度・磁場依存性を調べた。その結果、熱処理前後での顕著なスペクトル形状の変化は観測されなかったが、XMCD総和則を用いてMnのスピン磁気モーメント()を見積もったところ、熱処理後はが増大していることがわかった。そして、自発磁化の発現が熱処理前の試料では約100Kで(65K)よりも高く、熱処理後の試料では約120Kでほぼ(120K)と同じであることがわかった。この結果は、熱処理前においてもマクロなよりも高い温度で強磁性秩序を示すドメインが既に存在しており、熱処理によって強磁性ドメインの均一化が進み、結果、マクロなも上昇したことを示唆している。