Structure and stability of PrO/Si(001) heterostructures grown by molecular beam epitaxy using a high temperature effusion source

Tinkham, B. P.*; 高橋 正光; Jenichen, B.*; 綿引 達郎*; Braun, W.*; Ploog, K. H.*

Semiconductor Science and Technology, 21(12), p.1552 - 1556, 2006/12

https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/12/009

微小角入射X線回折とX線反射率法とを用いて、Si(001)上にエピタキシャル成長したPrO膜の構造を調べた。CMOS製造プロセスに関係する成長中・成長後・アニールの各過程での構造について報告する。高温蒸着源を用い、1970CでPrOをPrOに変換しつつ蒸着させた。蒸着直後の膜には、PrOの二つの相と、Si界面に生成した珪酸化物の層が認められた。立方晶PrOは、単結晶として成長し、多結晶の六方晶PrOよりも量的には多かった。膜の結晶構造は800Cまでのアニールに対して安定で、800Cでは、PrOが減って珪酸化物が増加した。