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orbitals in the oxide-based diluted magnetic semiconductor In
V
O
小林 正起*; 石田 行章*; Hwang, J. I.*; Song, G. S.*; 滝沢 優*; 藤森 淳; 竹田 幸治; 大河内 拓雄*; 岡根 哲夫; 斎藤 祐児; et al.
Physical Review B, 79(20), p.205203_1 - 205203_5, 2009/05
被引用回数：7 パーセンタイル：33.2(Materials Science, Multidisciplinary)The electronic structure of InVO (
) has been investigated by photoemission spectroscopy and X-ray absorption spectroscopy (XAS). The V 
core-level photoemission and XAS spectra revealed that the V ion is in the trivalent state, which is the same valence state as that of In in In
O. The V 
partial density of states obtained by the resonant photoemission technique showed a sharp peak above the O band. While the O 
XAS spectrum of InVO was similar to that of InO, there were differences in the In 
and XAS spectra between the V-doped and pure InO. The observations give clear evidence for hybridization between the In-derived conduction band and the V orbitals in InVO.
Lei, A. L.*; Cao, L. H.*; Yang, X. Q.*; 田中 和夫*; 兒玉 了祐*; He, X. T.*; 三間 圀興*; 中村 龍史; 乗松 孝好*; Yu, W.*; et al.
Physics of Plasmas, 16(2), p.020702_1 - 020702_4, 2009/02
被引用回数：12 パーセンタイル：42.72(Physics, Fluids & Plasmas)反転コーンにおける高速電子の伝播に関するシミュレーション及び実験的研究を行った。コーン形状ターゲットは高速点火核融合において、高エネルギー発生及びレーザーの集光を目的として利用されている。本研究では、コーンターゲットを電子のガイディングを目的として利用することが可能であることを示した。反転コーンの先端部にレーザーを照射することで、多くの高速電子が発生する。これらの電子はコーンの側面に誘起される電磁場によってガイドされることがシミュレーションにより確認された。この現象を大型レーザーを使った実験により調べ、大電流が発生する場合においても電子のガイディングが起こることが確認された。
