Ion induced modifications of Mn-doped ZnO films

松波 紀明*; Ito, M.*; Kato, M.*; 岡安 悟; 左高 正雄*; 垣内田 洋*

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 365(Part A), p.191 - 195, 2015/12

https://doi.org/10.1016/j.nimb.2015.08.010

マンガンを6%添加した酸化亜鉛薄膜を室温で100MeVキセノンイオンで照射し、X線回折(XRD)による原子構造や光学吸収,電気抵抗,磁化率測定といった物性にどのような変化が現れるか調べた。XRDの強度は照射量510 cmまで単調に減少し、未照射試料の1/50になった。バンドギャップはほとんど変化しないが( 0.02eV)、電気抵抗は4桁減少した。電気抵抗の変化でいえば、低エネルギーイオン照射(100keVネオンまたは窒素)に比べ変化の度合いが大きい。磁化率()の温度依存性はキュリー則に従い = + C/Tとなり常磁性を示す。キュリー定数Cは照射によって照射量10 cmで未照射の値(C=0.012emu cm K)の半分まで減少した。