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論文

Radiation damage on 6H-SiC Schottky diodes

西島 俊二*; Hearne, S. M.*; Jamieson, D. N.*; 大島 武; Lee, K. K.; 伊藤 久義

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 210, p.196 - 200, 2003/09

https://doi.org/10.1016/S0168-583X(03)01069-3
 被引用回数：1 パーセンタイル：12.15(Instruments & Instrumentation)

イオンビーム誘起電流(IBIC)を行いて炭化ケイ素(SiC)ショットキーダイオードの結晶損傷を調べた。n型またはp型六方晶SiCエピタキシャル単結晶上にアルミニウム、ニッケル及び金電極を蒸着することで30$$mu$$電極径のSiCショットキーダイオードを作製し、1$$mu$$m径の2MeVヘリウムイオンマイクロビームを10$$mu$$m$$times$$10$$mu$$mエリアに10$$^{9}$$から10$$^{13}$$/cm$$^{2}$$の範囲で照射することで損傷を調べた。その結果、2MeVヘリウムイオンの照射量の増加とともにIBICが徐々に減少することが見出され、結晶損傷により発生した再結合中心により電荷収集量が減少することがわかった。

論文

Aqueous chemistry with seaborgium (element 106)

Br$"u$chle, W.*; Andrassy, M.*; Angert, R.*; Eberhardt, K.*; Fricke, B.*; Gregorich, K. E.*; G$"u$nther, R.*; Hartmann, W.*; Heimann, R.*; Hoffman, D. C.*; et al.

1st International Conference on the Chemistry and Physics of the Transactinide Elements; Extended Abstracts, 4 Pages, 1999/00

化合物イオンが金属イオンの酸化状態に大きく依存することで知られている$$alpha$$-HIB($$alpha$$-イソブチル酢酸)とシーボーギウム(Sg)化合物の陽イオン交換挙動を調べた。オンライン実験は、$$^{248}$$Cm+$$^{22}$$Ne反応で生成する$$^{265}$$Sg($$^{266}$$Sg)を対象に行い、6価イオンに対応する溶離液中にSgの壊変に起因する数イベントの$$alpha$$線を確認した。これはSgの$$alpha$$-HIB溶液中での陽イオン交換挙動が、6族の性質すなわち[Sg$$^{VI}$$L$$_{7}$$]$$^{-}$$(L:(CH$$_{3}$$)$$_{2}$$COH$$^{-}$$COO$$^{-}$$)の化学形を形成していることを示唆している。

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