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論文

Resonant Cu $$L$$$$_{alpha,beta}$$ emission spectra of CuGeO$$_{3}$$ single crystal

安居院 あかね; Guo, J.*; Sathe, C.*; Nordgren, J.*; 日高 昌則*; 山田 勲*

Physica Status Solidi (C), 3(8), p.2880 - 2883, 2006/09

 パーセンタイル:100

擬1次元系CuGeO$$_{3}$$に単結晶について、Cuの$$L$$吸収端の吸収分光と共鳴発光分光を行った。発光スペクトルは強い励起エネルギー依存性をしめした。このスペクトルはCu 3$$d$$間の$$d$$-$$d$$励起をしめしている。$$d$$電子は物性にかかわる電子であるので分光データから、系の電子構造などについて言及する。

論文

Intra- versus inter-site electronic excitations in NdNiO$$_{3}$$ by resonant inelastic ultra-soft X-ray scattering at Ni 3p edge

Butorin, S. M.*; S${aa}$the, C.*; 安居院 あかね; Saalem, F.*; Alonso, J. A.*; Nordgren, J.*

Solid State Communications, 135(11-12), p.716 - 720, 2005/09

 被引用回数:4 パーセンタイル:75.23(Physics, Condensed Matter)

NdNiO$$_{3}$$とそのモデル系としてNiOのウルトラ軟X線非弾性X線散乱測定をNi 3p端で行った。アンダーソン不純物モデルによる計算を利用し非弾性X線散乱過程におけるd-d励起の様子について検討した。その結果イントラ励起とインター励起の競合過程がわかった。

論文

Resonant O K$$alpha$$ emission spectroscopy of layered manganate La$$_{1.2}$$Sr$$_{1.8}$$Mn$$_{2}$$O$$_{7}$$

安居院 あかね; K$"a$$"a$mbre, T.*; S${aa}$the, C.*; Nordgren, J.*; 薄田 学; 齋藤 智彦*; 守友 治*

Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 144-147, p.589 - 592, 2005/06

 被引用回数:1 パーセンタイル:93.35(Spectroscopy)

ペロプスカイト型層状マンガン酸化物La$$_{1.2}$$Sr$$_{1.8}$$Mn$$_{2}$$O$$_{7}$$についてO K吸収端近傍で軟X線吸収分光実験及び共鳴発光分光実験を行った。吸収スペクトルはこれまでのペロプスカイト型マンガン酸化物のスペクトルを再現した。発光分光スペクトルは異なる化学状態の酸素2pの状態密度を反映し、ローカルデンシティアプロキシメーション法によるバンド計算の結果との比較によって説明された。

論文

Resonant Mn $$L$$ Emission spectra of layered manganite La$$_{1.2}$$Sr$$_{1.8}$$Mn$$_{2}$$O$$_{7}$$

安居院 あかね; Butorin, S. M.*; K$"a$$"a$mbre, T.*; S${aa}$the, C.*; 齋藤 智彦*; 守友 浩*; Nordgren, J.*

Journal of the Physical Society of Japan, 74(6), p.1772 - 1776, 2005/06

 被引用回数:5 パーセンタイル:59.69(Physics, Multidisciplinary)

層状ペロプスカイト型マンガン酸化物La$$_{1.2}$$Sr$$_{1.8}$$Mn$$_{2}$$O$$_{7}$$は巨大磁気抵抗など興味深い物性を示しさまざまな見地から研究がなされている。今回われわれは、軟X線分光の手法を用いMn 3dの電子状態を調べたので報告する。Mn ${it L}$$$_{2,3}$$ XASスペクトルはこれまでにペロプスカイト型マンガン酸化物報告されているスペクトルの特徴をほぼ再現し、スペクトル構造はMn 3dの結晶場分裂やO2pとの軌道混成で説明できた。XASの特徴的なピークのエネルギー位置を選択し、Mn L XESスペクトル測定の励起エネルギーとした。励起エネルギーの変化に対応してMn L XESスペクトル形状は共鳴様の多様な変化を示した。それぞれのピークはdd励起状態や電荷移動型の電子励起状態などに帰属され、励起エネルギーの変化に伴いその強度比が変化しスペクトル形状が変化することがわかった。

論文

Electronic structure of carbon nitride thin films studied by X-ray spectroscopy techniques

Hellgren, N.*; Guo, J.*; Luo, Y.*; S${aa}$the, C.*; 安居院 あかね; Kashtanov, S.*; Nordgren, J.*; ${AA}$gren, H.*; Sundgren, J.-E.*

Thin Solid Films, 471(1-2), p.19 - 34, 2005/01

 被引用回数:108 パーセンタイル:3.25(Materials Science, Multidisciplinary)

窒化炭素は近年ハードディスクや記録ヘッドなどの材料として着目されている。本研究ではマグネトスパッタ法によって作成した窒化炭素薄膜の電子構造を、軟X線光電子分光,X線吸収分光法,発光分光法によって測定した。これにより、薄膜作成時の温度などの条件で窒素-炭素の結合や、そのマイクロストラクチャーが変化することがわかった。

論文

Resonant OK emission spectra of CuGeO$$_{3}$$ single-crystal

安居院 あかね; Guo, J.-H.*; Sathe, C.*; Nordgren, J.*; 日高 昌則*; 山田 勲*

Solid State Communications, 118(12), p.619 - 622, 2001/06

 被引用回数:5 パーセンタイル:69.35

近年有機化合物以外で初めて、スピン・パイエルス様相転位が発見された。擬一次元遷移金属化合物、CuGeO$$_{3}$$の電子構造を調べるため、CuのL端及び、OのK端で軟X線吸収と軟X線発光をそれぞれ測定した。OのK端発光では、Oに異なる電子状態をもつサイトが2つ見つけられた。CuについてはCu$$^{2+}$$様の吸収スペクトルが観測された。また発光スペクトルについては、吸収測定では禁制になるdd遷移がはっきりと観測され、それらの起源について議論した。

論文

Direct observation of interface effects of thin AlAs(100) layers buried in GaAs

安居院 あかね; Sathe, C.*; Guo, J.-H.*; Nordgren, J.*; Mankefors, S.*; Nilsson, P. O.*; Kanski, J.*; Andersson, T. G.*; Karlsson, k.*

Applied Surface Science, 166(1-4), p.309 - 312, 2000/10

 被引用回数:2 パーセンタイル:82.3

ヘテロ構造半導体デバイスの基礎的性質を理解するうえで、界面の電子状態を知ることは一つの鍵になる。軟X線は物質中での透過長が電子線に比べ長いので、軟X線発光分光はキャッピング・レーヤーに覆われた試料やヘテロ構造中の物質の電子状態を調べるのに大変有効な手段になりうる。本研究では、GaAs(100)基盤の上に分子線エピタキシャル法でAlAsを、1,2,5,20ML成長させ、さらに100$AA$のGaAsでキャッピングした試料のAlL$$_{2}$$,$$_{3}$$発光を放射光励起の軟X線発光分光法で測定した。AlAsの20ML試料のAlL$$_{2,3}$$スペクトルはバルク試料スペクトルとほぼ同様の形状を示したが、モノ・レーヤー(1ML)試料は、GaASとの界面での混成効果によるスペクトル形状の変化がみられ、これは理論計算でよく説明されることがわかった。

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