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星屋 泰二; 高村 三郎; 有賀 武夫; 小桧山 守*; 三浦 貞彦*; 久保 佳実*; 正畑 伸明*
Japanese Journal of Applied Physics, 29(11), p.L2026 - L2029, 1990/11
被引用回数:5 パーセンタイル:34.35(Physics, Applied)ヘリウムイオン室温照射したBiSrCaCuO単相薄膜に関する電圧(電気抵抗)の温度依存性を種々の電流条件下及び磁場下で測定した。さらに磁束線の熱活性化挙動から、活性化エネルギーと臨界温度及びローレンツ力の関係を求めた。本実験の照射条件ではBiSrCaCuO単相薄膜のピン止めエネルギーと臨界電流密度はヘリウムイオン照射によって低下することが明らかになった。