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Critical current and activation energy in Bi$$_{2}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{1}$$Cu$$_{2}$$O$$_{x}$$ films after ion irradiation

イオン照射したBi$$_{2}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{1}$$Cu$$_{2}$$O$$_{x}$$薄膜の臨界電流と活性化エネルギー

星屋 泰二; 高村 三郎; 有賀 武夫; 小桧山 守*; 三浦 貞彦*; 久保 佳実*; 正畑 伸明*

Hoshiya, Taiji; Takamura, Saburo; not registered; not registered; not registered; not registered; not registered

ヘリウムイオン室温照射したBi$$_{2}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{1}$$Cu$$_{2}$$O$$_{x}$$単相薄膜に関する電圧(電気抵抗)の温度依存性を種々の電流条件下及び磁場下で測定した。さらに磁束線の熱活性化挙動から、活性化エネルギーと臨界温度及びローレンツ力の関係を求めた。本実験の照射条件ではBi$$_{2}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{1}$$Cu$$_{2}$$O$$_{x}$$単相薄膜のピン止めエネルギーと臨界電流密度はヘリウムイオン照射によって低下することが明らかになった。

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分野:Physics, Applied

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