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Critical current and activation energy in Bi$$_{2}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{1}$$Cu$$_{2}$$O$$_{x}$$ films after ion irradiation

イオン照射したBi$$_{2}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{1}$$Cu$$_{2}$$O$$_{x}$$薄膜の臨界電流と活性化エネルギー

星屋 泰二; 高村 三郎; 有賀 武夫; 小桧山 守*; 三浦 貞彦*; 久保 佳実*; 正畑 伸明*

Hoshiya, Taiji; Takamura, Saburo; not registered; not registered; not registered; not registered; not registered

ヘリウムイオン室温照射したBi$$_{2}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{1}$$Cu$$_{2}$$O$$_{x}$$単相薄膜に関する電圧(電気抵抗)の温度依存性を種々の電流条件下及び磁場下で測定した。さらに磁束線の熱活性化挙動から、活性化エネルギーと臨界温度及びローレンツ力の関係を求めた。本実験の照射条件ではBi$$_{2}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{1}$$Cu$$_{2}$$O$$_{x}$$単相薄膜のピン止めエネルギーと臨界電流密度はヘリウムイオン照射によって低下することが明らかになった。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Japanese Journal of Applied Physics

巻

 :

29

号

 :

11

ページ数

 :

p.L2026 - L2029

発行年月

 :

1990/11

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

Bi$$_{2}$$Sr$$_{2}$$Ca$$_{1}$$Cu$$_{2}$$O$$_{x}$$; He Ion Irradiation; Lorentz Force; Activation Energy; Critical Current Density

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1143/JJAP.29.L2026

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：34.35

分野：Physics, Applied

Altmetrics

 :

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