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論文

Ion beam induced crosslinking reactions in poly(di-n-hexylsilane)

関 修平*; 前田 兼作*; 国見 仁久*; 田川 精一*; 吉田 陽一*; 工藤 久明; 杉本 雅樹; 森田 洋右; 瀬口 忠男; 岩井 岳夫*; et al.

Journal of Physical Chemistry B, 103(15), p.3043 - 3048, 1999/00

https://doi.org/10.1021/jp9847080
 被引用回数：47 パーセンタイル：77.87(Chemistry, Physical)

シリコン系高分子の1つであるポリジノルマルヘキシルシラン(PDHS)の固相薄膜に対して、LETの異なる高エネルギーイオンビーム、電子線、コバルト60$$gamma$$線を照射した。LETは0.2~1620eV/nmの範囲で変化させた。照射によって、PDHSには不均一な架橋及び主鎖切断反応が誘起される。分子量分布の変化及びチャールズビーピナー関係式より架橋の確率を算出したところ、LETの増大とともに0.042から0.91へと増大した。

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