関 修平*; 前田 兼作*; 国見 仁久*; 田川 精一*; 吉田 陽一*; 工藤 久明; 杉本 雅樹; 森田 洋右; 瀬口 忠男; 岩井 岳夫*; 柴田 裕実*; 浅井 圭介*; 石榑 顕吉*
Seki, Shuhei*; not registered; not registered; not registered; Yoshida, Yoichi*; Kudo, Hisaaki; Sugimoto, Masaki; Morita, Yosuke; Seguchi, Tadao; not registered; Shibata, Hiromi*; not registered; not registered
シリコン系高分子の1つであるポリジノルマルヘキシルシラン(PDHS)の固相薄膜に対して、LETの異なる高エネルギーイオンビーム、電子線、コバルト60
線を照射した。LETは0.2~1620eV/nmの範囲で変化させた。照射によって、PDHSには不均一な架橋及び主鎖切断反応が誘起される。分子量分布の変化及びチャールズビーピナー関係式より架橋の確率を算出したところ、LETの増大とともに0.042から0.91へと増大した。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 103 |
号 |
: | 15 |
ページ数 |
: | p.3043 - 3048 |
発行年月 |
: | 1999/00 |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：77.92 分野：Chemistry, Physical |
Altmetrics |
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