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幸本 重男*; 中古 知貴*; 久松 秀悟; 奥田 康裕*; 桝 飛雄真*; 高橋 正洋*; 岸川 圭希*
Crystal Growth & Design, 15(6), p.2723 - 2731, 2015/05
被引用回数:16 パーセンタイル:75.03(Chemistry, Multidisciplinary)アントラセン系ビスピリジニウム塩のピエゾルミネッセンスと液晶性に関して、結晶状態における刺激応答性とイオン性液晶状態での発光特性で調べた。この塩は中心に発光部位としてアントラセン環を有し、アントラセン部分に結合したピリジニウムはトリアルコキシベンジル基で置換されている。2つのトリメトキシベンジル基を有する塩の単結晶が溶媒和物として得られた。塩化物の酢酸エチル、アセトンおよびジオキサン溶媒和結晶は1次元チャネルを有するほぼ同じ結晶構造であった。溶媒和結晶を粉砕すると含まれている溶媒分子が押し出され、固体状態での蛍光がレッドシフトした。トリス(オクチルオキシ)ベンジルおよびトリス(ドデシルオキシ)ベンジル誘導体は、臭化物および四フッ化ホウ酸塩の場合は昇温過程で、またPF酸塩の場合は降温過程で、どの場合でもレクタンギュラーカラムナー相の液晶相を発現した。これらのピリジニウム塩のうち、PF酸塩は、溶媒依存性のある特徴的な蛍光を示した。
高村 三郎; 奥田 重男*
Journal of Nuclear Materials, 72(1-2), p.244 - 248, 1978/02
被引用回数:1V,Nb単結晶、Nb-50wt%Ti単芯線、NbSnを5Kで速中性子照射後の臨界電流を測定した。また焼なまし効果について調べた結果を報告する。V,Nb単結晶は照射直後ピーク効果が見られ、Vでは200Kに焼なますと消滅するが、Nbでは300Kに焼なましても消滅しない。電気抵抗の回復過程と比較して議論する。また磁束線と点欠陥間の相互力についても述べる。