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前川 隆雄*; 井上 正三*; 宇佐美 晶*; 青山 功
KURRI-TR-289, p.41 - 45, 1987/00
シリコン単結晶にNTD法によりリン原子を注入する場合の問題点は、中性子照射に伴いシリコン単結晶中に欠陥が生成し、半導体素子としての電気的特性に影響を生ずることである。 本報告では、シリコン単結晶(インゴット又はウエハー)をJRR-2のVT-5及びVT-9孔で照射(0.18~5.5
10
n/cm
)し、照射後140~1,150
Cと変化させた熱処理を行うことにより、上述の欠陥の回復効果を次の電気的特性を測定することにより検討した結果を述べる。 1.導電率、2.キャリア移動度、3.キャリアライフタイム、結果は、上記1及び2に影響を与える大型のdefectクラスターは、650C,60分の熱処理により除去できるが、上記3に影響を与える小型のクラスターは、熱処理温度1,000C位まで残存することが判った。
線量率の簡易測定法田中 隆一; 宇佐美 晶*
電気学会論文誌,C, 97(11), p.215 - 222, 1977/11
光検出ダイオードを用いた無バイアス下での直流電流測定という簡易な方法によって、線、X線の低線量率領域の測定を可能にするため、種々の太陽電池とFETを初段に用いた反転増巾型の演算増巾器とを直結する方法で試験を行い、応答-雑音比および線量率計としての諸特性を調べた。その結果プレナー型太陽電池の場合低線量率では線量率換算で0.02
0.1R/h程度の雑音レベルが得られ、従来測定可能な加減が100R/h程度とされていたが、0.1R/h程度まで改善できることがわかった。入力換算雑音電流は主として太陽電池の等価内部抵抗とFETの電圧性雑音に依存するが、数+M
以上の等価内部抵抗に対してはFETの電流性雑音の影響が大きくなる。応答-雑音比をさらに改善する方法についても検討した。温度依存性、方向特性が良好なこと、および線量率に対する直線的応答が確認され、低線量率領域での実用線量計、モニターとしての有用性が示された。
田中 隆一; 田島 訓; 宇佐美 晶*
Int.J.Appl.Radiat.Isot., 24(11), p.627 - 637, 1973/11
耐放射線型の線高線量率測定のためのN/P型シリコン太陽電池を用いた固体電離箱の諸特性、およびその改良について述べた。電離電流は10~10
R/hrの範囲で線量に比例する。放射線損傷による感度の劣化はバルクの比抵抗が高い程小さく、かつ不純物(Cu)のdopeによってさらに小さくできることがわかった。Cuをdopeした200-cmのバルクを用いたN/P型試料に対して、感度劣化率は1MRあたり0.1%であった。前照射法によって感度を安定化させることも可能である。温度依存性は比抵抗や負荷抵抗にかなり依存するが、100の負荷抵抗を標準とした場合、出力電流の温度係数は5~60Cの範囲内で最大0.4%/C以下にすることができる。Air dose測定用プローブの方向依存性は、電極からの2次電子の後方散乱を補償することにより、
1%程度におさえることができる。
