JAEA
  • help
  • PC | SP
  • JP | EN
          
検索対象：     
報告書番号：
※ 半角英数字
 年 ～ 
 年
全てクリア
検索結果：　1 件中 1件目～1件目を表示
  • 1

発表形式

Initialising ...

選択項目を絞り込む

掲載資料名

Initialising ...

発表会議名

Initialising ...

筆頭著者名

Initialising ...

キーワード

Initialising ...

使用言語

Initialising ...

発行年

Initialising ...

開催年

Initialising ...

選択した検索結果をダウンロード

口頭

炭素系薄膜材料の軽元素分布解析

堀野 裕治*; 杢野 由明*; 茶谷原 昭義*; 安井 治之*; 粟津 薫*; 鳴海 一雅; 楢本 洋; 山本 春也

no journal, , 

$$^{15}$$Nと水素との共鳴核反応法$$^{15}$$N(p, $$alphagamma$$)$$^{12}$$Cを利用して、2keV H$$^{+}$$を注入したSi,多結晶ダイヤモンド,単結晶ダイヤモンド(Ib型)中の水素分布測定を行った。分析チェンバーを改良し、真空度を2桁近くよくしたところ、試料表面の吸着物に由来する水素によるピーク幅が、改良前に比べて約1/2になった。2keV H$$^{+}$$を5$$times$$10$$^{15}$$ions/cm$$^{2}$$注入したSiの場合、表面吸着物由来の水素と注入水素の分布が明瞭に区別され、注入水素の分布のピークはTRIMコードで計算した飛程44nmとほぼ一致した。多結晶ダイヤモンドの場合、内部の水素量は約0.2at%であるが、ダイヤモンド単結晶の場合、表面吸着物由来のピーク以外は、S/N比による測定限界以下であった。

1 件中 1件目～1件目を表示
  • 1