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論文

高レベル放射性物質研究施設(CPF)における保全活動への取組み,1; 高レベル放射性物質閉じ込め用負圧コントロール弁の経年劣化への対応

小林 雄樹; 高橋 哲郎; 篠崎 忠宏; 小笠原 甲士; 小泉 健治; 中島 靖雄

日本保全学会第7回学術講演会要旨集, p.161 - 166, 2010/07

当該施設の負圧制御弁は、他施設等でも使用実績もあり信頼性の高い機器であるが、施設の運転開始以来25年以上稼働を続け、経年劣化による安定な負圧維持機能への影響が見受けられるようになってきた。そこで、負圧制御機能を確実にし、施設の安定運転を図るため、負圧制御弁駆動部の更新を実施してきている。本発表では、更新作業を通じて得られた知見(作業上の課題への対応,構成部品の劣化状況,故障要因の推定)について報告する。

論文

低放射性固体廃棄物に付着するPuの定量方法の検討

牧野 理沙; 富川 裕文; 雛 哲郎; 大曽根 隆; 黒巣 一敏; 福原 純一; 小林 健太郎; 株木 俊英*

核物質管理学会(INMM)日本支部第27回年次大会論文集(CD-ROM), 7 Pages, 2006/00

再処理技術開発センターは、低放射性固体廃棄物に付着する核物質量を保管廃棄物として適正に計量管理するため、測定方法の検討を行ってきた。TRPから発生した廃棄物中の核物質量を推定するために、数種類の既存の非破壊測定装置を使用して、小型廃棄物容器(カートンボックス)単位やドラム缶単位で測定を行ったところ、表面線量率の高い廃棄物にはPuが微量に含まれる傾向が見られたものの、TRPから発生する廃棄物は、含まれるCmの影響が大きく、Pu量を正確に測定することはできなかった。今後は、上記の試験を踏まえて、TRPの廃棄物測定に適した非破壊装置の調査・設計を行い、Puを定量する予定である。

報告書

新型転換炉ふげん発電所 原子炉設置変更許可申請書 添付書類10の現行安全審査指針類対応の検討

坂下 元昭*; 小林 哲郎*; 直井 洋介*

PNC TN3720 88-007, 235 Pages, 1988/03

PNC-TN3720-88-007.pdf:16.69MB

高燃料度燃料の開発の一環として、新型転換炉ふげん発電所(以下「ふげん」と略す。)に照射用ガドリニア燃料集合体を装荷するに当たって、現行の各種安全審査指針類に基づいた安全解析、評価を行い、「原子炉設置変更許可申請書 添付書類10(以下「添付書類10」と略す。)」を改訂することを検討してきた。本報告書は、その検討結果を軽水炉の「添付書類10」の記載様式に従ってまとめたものである。

報告書

しゃ断器型変流器電源回路の試作開発における問題点、提案事項の検討(臨界プラズマ試験装置設計報告25)

嶋田 隆一; 谷 啓二; 田村 早苗; 小林 朋文*; 小林 哲郎*; 吉田 吉一*

JAERI-M 6646, 27 Pages, 1976/08

JAERI-M-6646.pdf:0.68MB

本報告は、原研が建設を計画している臨界プラズマ試験装置(略称JT-60)の変流器電源の製作に先立って行っている試作開発に関してなされた検討、提案事項について述べたものである。この試作開発は、従来のものとは全く異った、直流しゃ断に基づく電源方式を開発することを目的としており、技術的に未経験な分野が多く、この問題が広く電力技術の発展に寄与する所も大きいと考えられる。

報告書

多数の線電流が作る磁場の計算プログラム; 臨界プラズマ試験装置設計報告,20

吉田 吉一*; 斎藤 龍太*; 関 省吾; 狐崎 晶雄; 小林 哲郎*; 小林 朋文*; 嶋田 隆一; 田村 早苗; 谷 啓二

JAERI-M 6470, 14 Pages, 1976/03

JAERI-M-6470.pdf:0.45MB

大型トカマク装置のポロイダル磁場コイルについて、実際のコイル構造により生ずる不整磁場を評価するため、コイルの接続部、給電線の構造などを考慮して磁場を計算するプログラムを作成した。

報告書

大型トカマク装置の真空容器電磁モデル,過渡現象解析の一方法; 臨界プラズマ試験装置設計報告,19

嶋田 隆一; 谷 啓二; 田村 早苗; 小林 朋文*; 小林 哲郎*; 吉田 吉一*

JAERI-M 6469, 20 Pages, 1976/03

JAERI-M-6469.pdf:0.47MB

トカマク型装置におけるトロイダル方向に電気的絶縁のない真空容器をトロイダル方向の多数のワンターンコイル群として扱い、トカマク型装置固有の過渡的な電磁的現象に対して、真空容器上の電流分布を求めた。この方法を用いて、複雑な断面形状の真空容器についても、プラズマとの相互作用などによる過渡的な電磁現象を取り扱うことができる。

報告書

多段誘導性エネルギー蓄積方式を用いた大型トカマクの変流器電源; シンプレックス法による電源回路の最適設計,臨界プラズマ試験装置設計報告,17

谷 啓二; 小林 朋文*; 田島 輝彦; 竹田 辰興; 嶋田 隆一; 小林 哲郎*; 田村 早苗; 吉田 吉一*

JAERI-M 6467, 32 Pages, 1976/03

JAERI-M-6467.pdf:1.09MB

多段誘導性エネルギー蓄積方式を用いた複雑な変流器コイル電源の回路定数を種々の束縛条件のもとで初期蓄積エネルギーを最小にするように自動的に決定するのにシンプレックス法が有効であることが示された。また、変流器コイルだけを誘導性エネルギー蓄積コイルとして用いる場合に比べ、多段誘導性エネルギー蓄積方式は、所定時間で所定プラズマ電流を励起するのに必要な初期蓄積エネルギーの面から考えて有利になることも示された。プラズマを含む回路解析はプラズマ抵抗を1)時間関数で仮定する場合、2)無次元プラズマモデルより求める場合についてそれぞれ行なった。大型トカマクのプラズマ電流励起過程では、特にプラズマの自己インダクタンスとその時間変化が重要な役割を演じており、従って変流器電源回路設計にも大きな影響を及ぼすことが示された。

報告書

大型核融合装置のポロイダル磁場コイル配置の最適設計; 臨界プラズマ試験装置設計報告,16

小林 朋文*; 谷 啓二; 竹田 辰興; 小林 哲郎*; 嶋田 隆一; 田村 早苗; 吉田 吉一*

JAERI-M 6451, 62 Pages, 1976/03

JAERI-M-6451.pdf:1.46MB

大型核融合装置のポロイダル磁場コイルの配置を決める方法として、非線形計画法の一つsimplex法を用いる手法を開発し、臨界プラズマ試験装置(トカマク型)の設計に応用した。この手法には二つの機能(1)(R、Z)2次元空間内でコイル位置を探索する、(2)複数個のコイルの相対位置が変らないように動きうる、が備わっている。これによって、ポロイダル磁場コイルの配置不能な禁止領域がいかなるものでも、その制限下での最適化が可能である。

口頭

低放射性固体廃棄物に付着するPuの定量方法の検討

牧野 理沙; 株木 俊英*; 富川 裕文; 雛 哲郎; 大曽根 隆; 黒巣 一敏; 福原 純一; 小林 健太郎

no journal, , 

再処理技術開発センターは、低放射性固体廃棄物に付着する核物質量を保管廃棄物として適正に計量管理するため、測定方法の検討を行ってきた。東海再処理工場(TRP)から発生した廃棄物中の核物質量を推定するために、数種類の既存の非破壊測定装置を使用して、小型廃棄物容器(カートンボックス)単位やドラム缶単位で測定を行ったところ、表面線量率の高い廃棄物にはPuが微量に含まれる傾向がみられたものの、TRPから発生する廃棄物は、含まれるFPの影響が大きく、Pu量を正確に測定することはできなかった。今後は、上記の試験を踏まえて、TRPの廃棄物測定に適した非破壊装置の調査・設計を行い、Puを定量する予定である。

口頭

高レベル放射性物質研究施設(CPF)の高経年化対応; 負圧コントロール弁駆動部の更新

小林 雄樹; 高橋 哲郎; 篠崎 忠宏; 小笠原 甲士; 小泉 健治; 中島 靖雄

no journal, , 

当該施設の負圧制御弁は、他施設等での使用実績もあり信頼性の高い機器であるが、施設の運転開始以来25年以上稼働を続け、経年劣化による安定な負圧制御機能への影響が見受けられるようになってきた。そこで、負圧制御機能を確実にし、施設の安定運転を図るため、負圧制御弁駆動部の更新を実施してきている。本発表では、更新作業を通じて得られた知見(技術上の課題への対応,構成部品の劣化状況,故障要因の推定)について報告する。

口頭

磁気トンネル接合素子に対する放射線照射効果の実測評価

小林 大輔*; 梯 友哉*; 廣瀬 和之*; 池田 正二*; 山ノ内 路彦*; 佐藤 英雄*; Enobio, E. C.*; 遠藤 哲郎*; 大野 英男*; 小野田 忍; et al.

no journal, , 

磁気抵抗メモリ(MRAM)の基本素子である磁気トンネル接合に重イオン放射線を照射した。試験素子は東北大学によって作製されたCoFeB/MgO/CoFeB層からなるものである。この素子は、垂直磁気異方性を持ち、スピン注入磁化反転方式によって制御される従来とは異なる特徴を有す。スピン注入磁化反転方式では、データ書き込みが素子へのパルス電流注入によって実現されるため、放射線衝突によって発生するノイズ電流による記憶データ喪失(書き換え)への懸念がある。タンデム加速器で加速した15MeV Siイオンを、中エネルギーイオン照射チェンバー、並びに、重イオンマイクロビーム形成装置と半導体デバイス微小領域照射試験装置を利用して照射したところ、用いたイオンビームにおいては記憶データの喪失が起きないことが明らかとなった。また、電圧ストレスが放射線耐性に及ぼす影響についても調査したが、実験に用いた$$pm$$0.5Vの電圧ストレスの範囲では前記Siイオンビームへの耐性に変化がないことが判明した。

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