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論文

Valence-band electronic structure evolution of graphene oxide upon thermal annealing for optoelectronics

山口尚人*; 小川修一*; 渡辺大輝*; 穂積英彬*; Gao, Y.*; 江田剛輝*; Mattevi, C.*; 藤田武志*; 吉越章隆; 石塚眞治*; et al.

Physica Status Solidi (A), 213(9), p.2380 - 2386, 2016/09

https://doi.org/10.1002/pssa.201532855

被引用回数：13 パーセンタイル：52.49(Materials Science, Multidisciplinary)

本論文では加熱による酸化グラフェンの還元過程について報告する。酸化グラフェンにおいて酸素官能基の修飾度合いは加熱温度により制御できるため、加熱温度による価電子帯構造の変化をリアルタイム光電子分光で調べた。600 $^{circ}$ C以上の加熱により、フェルミ準位近傍の状態密度の顕著な増加が確認された。この結果は、600 $^{circ}$ Cにおいてバンドギャップが存在する酸化グラフェンからギャップが存在しない酸化グラフェンへと変化したことを示している。この成果は酸化グラフェンの光電子工学への応用を期待させるものである。

口頭

酸化グラフェン還元過程のリアルタイムXPS観察; ヒドラジン処理効果

渡辺大輝*; 小川修一*; 山口尚人*; 穂積英彬*; 江田剛輝*; Mattevi, C.*; 吉越章隆; 石塚眞治*; 寺岡有殿; 山田貴壽*; et al.

no journal, ,

本研究ではH $_{4}$ N $_{2}$ 処理による酸化グラフェンの化学結合状態と電子状態の変化を調べるため、酸化グラフェンンの加熱還元過程のリアルタイム光電子分光観察を行った。800 $^{circ}$ Cに加熱後の酸化グラフェンのC1s光電子スペクトルから、H $_{4}$ N $_{2}$ 処理した酸化グラフェンはsp $^{3}$ に起因するアモルファス成分並びに点欠陥が著しく減少していることがわかった。酸化物もH $_{4}$ N $_{2}$ 処理によって減少することが明らかとなった。以上よりH $_{4}$ N $_{2}$ 処理によって酸化グラフェンの抵抗率や透過率が改善するのは酸化物が減少するだけでなく、点欠陥やアモルファスも低減するためとわかった。