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論文

Stopping cross-sections of rare gases in amorphous silicon for MeV energy helium ions

大塚昭夫*; 小牧研一郎*; 藤本文範*; 川面澄; 小沢国夫; 嶋田寿一*

Japanese Journal of Applied Physics, 22(8), p.1306 - 1309, 1983/00

https://doi.org/10.1143/JJAP.22.1306

被引用回数：1 パーセンタイル：11.45(Physics, Applied)

2MV及び5.5MV Van de Graaff加速器を用いて、ラザフォード後方散乱法によりアモルファスSi中にドープされた数%の希ガス原子のHeイオンに対する阻止能を測定した。Heイオンのエネルギーは8%Arを含んだ試料では1.0~2.6Mev、7%Kr又は4%Keを含んだ試料では1.0~1.6MeVであった。Bragg則とZieglerによるSiの阻止能を用いて希ガスの阻止能を求めることができた。その結果、イオンエネルギー1MeV近辺ではガス状態に対するZiegierの値より約30%低くなることが明らかとなった。