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Stopping cross-sections of rare gases in amorphous silicon for MeV energy helium ions

MeV領域HeイオンによるアモルファスSi中の希ガスの阻止能

大塚 昭夫*; 小牧 研一郎*; 藤本 文範*; 川面 澄; 小沢 国夫; 嶋田 寿一*

not registered; not registered; not registered; Kawatsura, Kiyoshi; Ozawa, K.; not registered

2MV及び5.5MV Van de Graaff加速器を用いて、ラザフォード後方散乱法によりアモルファスSi中にドープされた数%の希ガス原子のHeイオンに対する阻止能を測定した。Heイオンのエネルギーは8%Arを含んだ試料では1.0~2.6Mev、7%Kr又は4%Keを含んだ試料では1.0~1.6MeVであった。Bragg則とZieglerによるSiの阻止能を用いて希ガスの阻止能を求めることができた。その結果、イオンエネルギー1MeV近辺ではガス状態に対するZiegierの値より約30%低くなることが明らかとなった。

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パーセンタイル:11.46

分野:Physics, Applied

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