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論文

中性子反射率による表面・薄膜界面の研究

桜井 健次*; 日野 正裕*; 武田 全康

Journal of the Vacuum Society of Japan, 53(12), p.747 - 752, 2010/12

中性子反射率法は表面や界面の研究に有用な手法である。X線反射率と同様の情報が得られることに加えて、軽元素や磁性に対する感受性がX線に比べて高いという魅力的な特徴を持っている。本稿では、国内で現在使用可能な中性子反射率計の現状を紹介する。

口頭

金薄膜/希硫酸水溶液界面の中性子反射率解析

水沢 まり*; 桜井 健次*; 山崎 大; 武田 全康

no journal, , 

電気二重層は電極と電解質の界面に常に存在して電極反応の進行に影響を及ぼすとされ、その構造は電極の表面モフォロジーと密接な関係がある。本研究では、電極/電解質界面モデルとして金薄膜/希硫酸を用い、中性子反射率法により構造評価を行った。シリコン(100)ウエハー上(30mm$$times$$30mm、厚さ2mm)上にクロムおよび金を各々25nm程度スパッタにより堆積させた電極モデル試料を0.005mol/l硫酸に浸漬し、中性子反射率を測定した。実験はJ-PARC/MLFの中性子反射率(BL17)で行い、硫酸溶液浸漬後も反射率の強度振動周期に変化がないが、0.5 $$<$$ q$$_{z} <$$ 1.5nm $$^{-1}$$の近傍の反射強度がやや強くなっている結果が得られ、金と硫酸溶液との界面に散乱長密度の高い層が、厚さ0.5$$sim$$1nm程度存在していると考えられる。

口頭

斜入射中性子を照射したInP基板から放出される$$^{115}$$Inガンマ線の入射角度依存性

山崎 大; 水沢 まり*; 盛合 敦; 武田 全康; 松江 秀明; 桜井 健次*

no journal, , 

中性子反射法と同時に表面・界面を測定でき、しかも深く埋もれた界面にも適用可能な非破壊的元素分析法として、全反射中性子利用ガンマ線分光法(TN-$$gamma$$法)を提案する。これは全反射臨界角近傍で中性子を試料に斜入射させる中性子反射法の実験体系で、同時に中性子捕捉ガンマ線分析をおこなうものである。実験では試料としてガンマ線放出断面積の比較的大きい$$^{115}$$InをもつInP基板($$phi$$50mm$$times$$t0.5mm)を選び、原子力機構の研究炉JRR-3に設置されている中性子反射率計SUIRENで測定をおこなった。こうして、$$^{115}$$Inによる中性子の捕獲で放出されるガンマ線のうち比較的ガンマ線放出断面積の大きいエネルギーのものとして162.4keV, 186.2keV, 273.0keV, 416.9keVのガンマ線ピークに注目し、各エネルギーのガンマ線ピーク強度の中性子入射角依存性を調べた。本講演ではこのデータについて定量的に検討した結果を報告する。

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