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報告書

ほうけい酸ガラスの高エネルギー線照射による構造変化に関する研究

横川 敏雄*; 新明 正弘*; 前川 尚*

PNC TJ5600 86-003, 40 Pages, 1986/03

PNC-TJ5600-86-003.pdf:3.0MB

アルカリけい酸塩,ほう酸塩,ほうけい酸塩ガラスにX線,電子線を照射していくつかの欠陥を作り,可視吸収スペクトル,ESRスペクトルならびにこれらの熱ブリーチング効果を調べた。106Red程度の照射量で生ずる欠陥は電子あるいは正孔による点欠陥である。本年度の研究で明らかになった点を以下に要約する。 1)アルカリけい酸塩,ほうけい酸塩ガラスに室温でX線照射した際に得られる欠陥で,可視吸収スペクトル,ESRスペクトルで同定されたものは主として正孔中心であった。 2)このうちで,ガラス構造との関係から,ほうけい酸ガラスでは,けい酸塩骨格構造に局在すると考えられる欠陥の熱的安定性が小さいことが分った。 3)室温でのX線の定常照射では観測されないアルカリイオンにトラップされた電子による欠陥がパルス電子線照射後マイクロ秒の領域で存在することが確認された。 4)この欠陥はCd(2)イオンの導入て完全に生成が抑制された。 5)更に,この電子中心の熱的安定性は小さく,400$$^{circ}C$$ではマイクロ秒領域でも既に消滅することが確認された。 WasteGlassの走査型電子顕微鏡による観測からは次の点が明確になった。 WasteGlassP0500に対して18$$^{circ}C$$および40$$^{circ}C$$において硫酸溶液および硝酸溶液による溶出を行ない,走査型電子顕微鏡による研究を行なった。0.05N-硫酸溶液および0.1N-硝酸溶液を用いた場合,溶出時間1時間でガラスに微細なひび割れを生じたが酸濃度の大きい1-N硝酸溶液の場合15分の溶出時間でひび割れが発生した。このひび割れはガラスの溶出機構を知る上で重要なものであり,溶出過程に起こる酸可溶成分と水素イオンの交換によるイオン径の差によって生じる収縮力に起因していると考えられる。溶出過程で超音波を作用させると溶出反応は促進された。

報告書

放射線照射したガラスの着色中心の構造と安定性に関する研究

横川 敏雄*; 前川 尚*

PNC TJ168 85-06, 27 Pages, 1985/03

PNC-TJ168-85-06.pdf:0.55MB

酸化物ガラスにX線、電子線を照射するとガラス構造を反映していくつかの着色中心が形成される。本報告はこの着色中心の構造、生成過程に関しての基礎をなすものである。本報告ではまずガラス固化体の母体となるほうけい酸ガラスを対象に約10/SUP6Radの照射で生ずる点欠陥の光吸収スペクトルを測定し、ガラス構造ならびにガラス試料温度との関係を考察した。さらに2元系ほう酸ガラスに形成される着色中心ならびに少量ドープした塩化物イオンの存在で生ずるV 中心の生成過程についてパルスラジオリシスの手法で追跡した。測定結果は以下の点に要約できる。(1)可視部に吸収をもつ欠陥はガラス中の非架橋酸素ならびにそれと結合したNaイオンに関係するがNa/SUB2/O-B/SUB2/O/SUB3-SiO/SUB2系ガラスでは従来の熱力学的な解釈とも一致し、Na/SUB2/O/B/SUB2/O/SUB3濃度比が1以上の時にのみけい酸塩ガラス固有のSi-O/SUP-Na/SUP+構造単位から生ずる吸収が現れ、同濃度比が1以下の組成では、SiO/SUB2はもっぱらNa/SUB2/O-B/SUB2/O/SUB3 2元系を希釈する作用をしていることが認められた。(2)欠陥は照射後1 sで、すでに形成されるが試料の温度上昇とともにその濃度は減少した。300$$sim$$400度Cで大部分が消失した。(3)塩化物イオンを含むガラスでも照射後1 sでは母ガラスの欠陥の他にCl/SUB2/SUP-中心を形成した。なお、Cl/SUB2/SUP-中心の熱的安定度は母ガラスによる欠陥よりも大きい事が認められた。(4)ほうけい酸ガラスでは、照射による点欠陥生成よりもむしろ構造的な内在する不混和領域についての変化を検討すべきことが示唆された。

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