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高橋 芳浩*; 大木 隆弘*; 長澤 賢治*; 中嶋 康人*; 川鍋 龍*; 大西 一功*; 平尾 敏雄; 小野田 忍; 三島 健太; 河野 勝康*; et al.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 260(1), p.309 - 313, 2007/07
被引用回数:4 パーセンタイル:35.63(Instruments & Instrumentation)Si基板上にAlゲートp-MOSFETを作製し、TIARAの重イオンマイクロビームシステムを使用して重イオン照射を行い、照射誘起過渡電流の測定を行った。その結果、ゲート端子における過渡電流は、照射中負のゲート電圧を印加した状態でのみ観測されることがわかった。また、ソース・ドレイン電極を接地(基板と同電位)してゲート領域に重イオンを照射した場合、ピーク値の異なる正・負の電流が観測され、その積分値は照射後100ns程度でほぼ0となることがわかった。本誘起電流が伝導電流によるものであれば、正方向の電流のみが観測されることが予想される。よって本測定結果より、酸化膜を介した照射誘起電流は、変位電流に由来すると帰結できる。また測定結果は、酸化膜を完全絶縁体と仮定した計算により再現できることが確認できた。
菱木 繁臣; 岩本 直也; 大島 武; 河野 勝康*; 伊藤 久義
no journal, ,
六方晶炭化ケイ素(6H-SiC)エピタキシャル膜上にpチャンネル金属/酸化膜/半導体型電界効果トランジスタ(MOSFET)を作製した。p-channel 6H-SiC MOSFETに8.700.87kGy/時間の範囲で異なる線量率の線を照射した。電気特性の変化を調べた結果、いずれの線量率でも積算線量の増加によりしきい値電圧が単調に減少するが、線の線量率が8.70kGy/hourの場合、最も減少が大きいことがわかった。