JAEA
  • help
  • PC | SP
  • JP | EN
          
検索対象：     
報告書番号：
※ 半角英数字
 年 ～ 
 年
全てクリア
検索結果：　1 件中 1件目～1件目を表示
  • 1

発表形式

Initialising ...

選択項目を絞り込む

掲載資料名

Initialising ...

発表会議名

Initialising ...

筆頭著者名

Initialising ...

キーワード

Initialising ...

使用言語

Initialising ...

発行年

Initialising ...

開催年

Initialising ...

選択した検索結果をダウンロード

口頭

Structure of $$alpha$$-sexithiophene thin films grown on semiconductor surface studied by near-edge X-ray absorption fine structure

平賀 健太*; 豊島 弘明*; 中島 淳貴*; 田中 博也*; 大野 真也*; 田中 正俊*; 関口 哲弘; 平尾 法恵; 下山 巖; 馬場 祐治

no journal, , 

半導体表面上に成長させた有機分子薄膜の立体分子構造を解析することは有機半導体の微細構造技術において重要である。SiO$$_{2}$$/Si(001), H$$_{2}$$O/Si(001), C$$_{2}$$H$$_{4}$$/Si(001), WSe$$_{2}$$, GaSeなど様々な半導体表面上に$$alpha$$-6チオフェン($$alpha$$-6T)分子を真空蒸着し、X線吸収端微細構造法により成長過程を研究した。表面基板の違いにより$$alpha$$-6T分子の配向状態は大きく異なった。例えば、$$alpha$$-6T/GaSe系では6T分子主軸は基板平行に寝て配向するのに対し、$$alpha$$-6T/SiO$$_{2}$$/Si(001)では分子は立って配向する。

1 件中 1件目～1件目を表示
  • 1