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論文

Characterization of precipitated phase in Cu-Ni-Si alloy by small-angle X-ray scattering, small angle neutron scattering and atom probe tomography

佐々木 宏和*; 秋谷 俊太*; 大場 洋次郎; 大沼 正人*; Giddings, A. D.*; 大久保 忠勝*

Materials Transactions, 63(10), p.1384 - 1389, 2022/10

 被引用回数:0 パーセンタイル:0(Materials Science, Multidisciplinary)

Copper-Nickel-Silicon (Cu-Ni-Si) alloys have excellent electric conductivity and mechanical properties due to nanosized Nickel-Silicon precipitates dispersed in Copper matrix. In this study, small-angle X-ray scattering (SAXS), small-angle neutron scattering (SANS), and atom probe tomography were used to characterize the Ni-Si precipitates for further improvement of Cu-Ni-Si alloys. We obtained nanostructural information about the size, shape, chemical composition, and their changes during heat treatment.

論文

X線・中性子小角散乱法及び3次元アトムプローブ法によるCu-Ni-Si合金中の析出相の解析

佐々木 宏和*; 秋谷 俊太*; 大場 洋次郎; 大沼 正人*; Giddings, A. D.*; 大久保 忠勝*

銅と銅合金, 60(1), p.309 - 314, 2021/08

銅合金においては高強度と高導電性の両立が求められており、これを満たす材料の一つとして、Cu母相中にNi-Si系化合物を微細に析出させたCu-Ni-Si系合金が知られている。本研究では、Cu-Ni-Si系合金のさらなる特性向上のため、X線小角散乱法と中性子小角散乱法、3次元アトムプローブ法を併用してNi-Si析出物の定量的解析を行った。その結果、熱処理温度の違いによるNi-Si析出物のサイズや形状、組成の変化に関して知見を得ることができた。

口頭

小角散乱法及び3次元アトムプローブ法による銅中の第二相の解析

佐々木 宏和*; 秋谷 俊太*; 大場 洋次郎; 大沼 正人*; Giddings, A. D.*

no journal, , 

電子機器の小型軽量化や高性能化に伴い、リードやコネクタに使用される銅合金には強度および導電性の両立が求められている。Cu-Ni-Si合金は、このような要求を満たす材料として注目されており、Cu母相中にNi-Si系化合物を微細に析出させることにより、Cu母相による導電性とNi-Si析出物による高い強度を兼ね備えている。この特性は、Ni-Si析出物のサイズや数密度、母相への固溶量等に依存するため、これらのパラメータを高精度に評価し、精密に制御する技術の開発に結びつけることが重要である。そこで本研究では、3次元アトムプローブ法と小角散乱法を用いてNi-Si析出物の評価を行った。その結果、熱処理温度の違いによるNi-Si析出物のサイズや形状、組成の変化に関して知見を得ることができた。

口頭

X線・中性子小角散乱法及び3次元アトムプローブ法によるCu-Ni-Si合金中の析出相の解析,2

佐々木 宏和*; 秋谷 俊太*; 大場 洋次郎; 大沼 正人*; 大久保 忠勝*; 埋橋 淳*

no journal, , 

電子機器の小型軽量化や高性能化に伴い、リードやコネクタに使用される銅合金には強度および導電性の両立が求められている。Cu-Ni-Si合金は、このような要求を満たす材料として注目されており、Cu母相中にNi-Si系化合物を微細に析出させることにより、Cu母相による導電性とNi-Si析出物による高い強度を兼ね備えている。この特性は、Ni-Si析出物のサイズや数密度、母相への固溶量等に依存するため、これらのパラメータを高精度に評価し、精密に制御する技術の開発に結びつけることが重要である。そこで本研究では、X線小角散乱法(SAXS)と中性子小角散乱法(SANS)、3次元アトムプローブ法を用いてNi-Si析出物の評価を行った。SAXSとSANSの散乱強度を絶対強度で測定することにより、Ni-Si析出物が均一な組成ではなく、コア-シェル状であることを明らかにした。また、3次元アトムプローブ法の結果と合わせて解析することにより、Cu母相とNi-Si析出物の界面に、Cu-Ni-Siが相互に拡散した領域が存在することが分かった。

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