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柴 正憲*; 菅沼 隆*; 船越 智雅*; 田中 康正
PNC TN8410 97-423, 46 Pages, 1997/01
RETFの分析設計では、高放射性溶液中の全放射能分析法としてGM計数管法が設定されている。今回、同法の適用性を確証することを目的として純放射体として90Srを、また放射体として137Csを用いたRI試験を行い、端窓型GM計数管の基本特性を把握した。また、軽水炉再処理廃液を用いたホット試験を実施し、高放射性溶液中の全分析法として適用できることを確かめた。以下に主要な知見を列記する。(1)0.060.66MeVの線に対するGM計数管の検出効率は、0.25%以下であり全線測定への影響は無視できる程度であった。(2)137Cs(137mBa)から放射される内部転換電子線は、GM計数管の全計数率に対して正の影響を与えるが、その影響割合は軽水炉再処理廃液の核種組成において、3.5%程度であった。(3)本法により軽水炉再処理廃液中の全放射能を定量した結果、7.4109Bq/ml、8.3109Bq/mlの定量値を得た。なお、この定量値はORIGEN-2等による指標値に対して概ね一致した。(4)本法の高希釈-直接GM計数管法による全放射能分析値の再現精度は、1.8%(RSD)以内であり、工程分析法として十分である。
船越 智雅; 小笠原 甲士; 中島 靖雄; 野村 和則
no journal, ,
平成23年3月11日に発生した東日本大震災時、CPFにおいて商用電源の停電やユーティリティ設備の停止等が発生した状況の中で放射性物質を取扱う施設の安全にかかわる機能を維持し、放射性物質の漏洩を防止するために実施した給排気設備等の運転実績を報告する。
小林 雄樹; 船越 智雅; 篠崎 忠宏; 柴田 淳広; 野村 和則
no journal, ,
赤外線サーモグラフィの優れた非破壊検査特性及び技術向上著しいドローンのとの組合せを試み、簡便な外壁診断技術の確立を目指す。本件では剥離の形状, 大きさ, 深度等の条件を設定した試験体を製作し、ドローンに搭載可能な赤外線サーモグラフィを用いて剥離箇所と健全箇所の表面温度を撮影し、結果から検知する条件を確認した。
船越 智雅; 柴田 淳広; 北脇 慎一; 矢島 裕史*; 正岡 秀樹*; 江夏 昌志*
no journal, ,
高レベル放射性物質研究施設(CPF)の放射性物質を取り扱うセル内部は、高放射線環境や硝酸雰囲気となっている。このような環境で使用される照明機器は、放射線や硝酸に対する高い耐性を有することが必要であり、従来から水銀ランプ等が用いられてきた。しかし、水銀に関する条約により2021年以降、水銀ランプの製造が禁止となることから、代替の照明が必要となった。近年、照明の主流であるLEDランプは、水銀ランプと比較して、点灯速度,消費電力,長寿命等のメリットが多く代替品として期待できるが、多数の半導体部品が使用されており、放射線を照射すると機能が著しく低下するため、セル内のような高放射線環境や硝酸雰囲気での使用実績がないことから、このような環境下でも使用できるLEDランプの開発が必要である。また、セル内の廃棄物低減のため、既設照明器具が使用できなければならない。この条件を満たす耐放射線性直管型LEDランプを開発し、各種評価試験を実施してセル内照明としての適用性を確認した。
小林 雄樹; 船越 智雅; 篠崎 忠宏; 渡部 創; 矢島 裕史*; 正岡 秀樹*; 才谷 明宏*
no journal, ,
高レベル放射性物質研究施設(CPF)等の高放射性物質を取扱うホットセル内で使用されている水銀ランプは水俣条約により2021年から製造、輸出入が禁止されたことから、その代替品として近年の照明設備の主体となっているLEDランプを開発した。LEDランプの適用に当たっては、既存のLEDランプをベースに原子力施設に適用可能な腐食に強い構造・材料に変更した上で、放射線への影響及び硝酸ミストによる影響の有無を調査した。その結果、ホットセルにおいて使用可能な耐放射線性及び耐硝酸性を有し、かつ従来の水銀ランプによりも寿命が長く、低消費電力、発熱量の少ないLEDランプの開発に成功した。
船越 智雅; 篠崎 忠宏; 小林 雄樹; 薩田 将年
矢島 裕史*; 正岡 秀樹*; 村上 昭二*
【課題】原子力施設で用いるのに適したランプを提供する。 【解決手段】耐放射線直管型LEDランプ(10)は、表面に無機絶縁反射膜が形成された光源基板、及び光源基板の無機絶縁反射膜上に実装されたLED素子を有する光源部(12)と、前面で光源部を支持し、背面に複数のフィン(11C)が立設されたヒートシンク(11)と、ヒートシンクの長手方向の両側の端面それぞれに取り付けられて、電力が供給されるソケットに着脱される口金(13A,13B)と、ヒートシンクの端面及び口金の間に配置されるリングパッキン(14A,14B,15A,15B)と、口金及びLED素子を電気的に接続する導電線(28A,28B)とを備え、ヒートシンクは、端面と前面とに開口する内部通路(11F,11G)を有し、導電線は、リングパッキンの内側及び内部通路を通って、口金及びLED素子を電気的に接続する。