Negative-U-centers in 4H- and 6H-SiC detected by spectral light excitation

Weidner, M.*; Pensl, G.*; 長澤 弘幸*; Schner, A.*; 大島 武

Materials Science Forum, 457-460, p.485 - 488, 2004/10

SiC中の欠陥であるE1/E2及びZ1/Z2中心の電気特性を光照射下で調べた。欠陥中心はHeイオン注入(ボックス注入:410または1.210/cm,注入深さ:1.6)または2MeV電子線照射(410/cm)及び1700Cまでの熱処理により導入した。電気特性はDLTS法を用いて評価した。その結果、6H-SiC中の(E1/E2)及び4H-SiC中の(Z1/Z2)がネガティブU中心であると同定できた。一方、3C-SiCではネガティブU中心は観測されなかった。また、6H-SiC中の(E1/E2)は光により準安定状態にイオン化するエネルギーが0.5から0.7eVの間であること、4H-SiCの場合、Z1は0.5から0.7eVの間、Z2が0.7から0.9eVの間の値であることがわかった。