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Negative-U-centers in 4H- and 6H-SiC detected by spectral light excitation

スペクトル光励起による4H及び6H-SiC中のネガティブU中心

Weidner, M.*; Pensl, G.*; 長澤 弘幸*; Sch$"o$ner, A.*; 大島 武

Weidner, M.*; Pensl, G.*; Nagasawa, Hiroyuki*; Sch$"o$ner, A.*; Oshima, Takeshi

SiC中の欠陥であるE1/E2及びZ1/Z2中心の電気特性を光照射下で調べた。欠陥中心はHeイオン注入(ボックス注入:4$$times$$10$$^{14}$$または1.2$$times$$10$$^{15}$$/cm$$^{3}$$,注入深さ:1.6$$mu$$)または2MeV電子線照射(4$$times$$10$$^{16}$$/cm$$^{2}$$)及び1700$$^{circ}$$Cまでの熱処理により導入した。電気特性はDLTS法を用いて評価した。その結果、6H-SiC中の(E1/E2)及び4H-SiC中の(Z1/Z2)がネガティブU中心であると同定できた。一方、3C-SiCではネガティブU中心は観測されなかった。また、6H-SiC中の(E1/E2)は光により準安定状態にイオン化するエネルギーが0.5から0.7eVの間であること、4H-SiCの場合、Z1は0.5から0.7eVの間、Z2が0.7から0.9eVの間の値であることがわかった。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Materials Science Forum

巻

 :

457-460

号

 :

ページ数

 :

p.485 - 488

発行年月

 :

2004/10

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

炭化ケイ素(SiC); 光照射下DLTS; 欠陥中心; ネガティブU中心

特許データ

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