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研究開発報告書類（JAEA-Research等）学会誌等掲載論文口頭発表特許

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論文

Regrowth of the photoquenchable defect relating to the hopping conduction in arsenic-ion-implanted semi-insulating GaAs

栗山一男*; 風間浩一*; 加藤崇*; 山本春也; 青木康; 楢本洋

Journal of Applied Physics, 80(8), p.4488 - 4490, 1996/10

https://doi.org/10.1063/1.363423

被引用回数：1 パーセンタイル：8.28(Physics, Applied)

Asを注入した半絶縁性GaAsは、モットー型のホッピング伝導を示すことを明らかにした。この現象は、照射直後及び熱処理後も共通であったが、熱処理して注入したAsがGaの位置を占有するantisite defectを形成するようになると、光クエンチングによる伝導度の減少をもたらすことも見い出された。