Regrowth of the photoquenchable defect relating to the hopping conduction in arsenic-ion-implanted semi-insulating GaAs

Asイオンを注入した半絶縁性GaAsにおけるホッピング伝導に関与する光クエンチ可能な欠陥の再成長

Kuriyama, Kazuo*; Kazama, K.*; Kato, Takashi*; Yamamoto, Shunya; Aoki, Yasushi; Naramoto, Hiroshi

Asを注入した半絶縁性GaAsは、モットー型のホッピング伝導を示すことを明らかにした。この現象は、照射直後及び熱処理後も共通であったが、熱処理して注入したAsがGaの位置を占有するantisite defectを形成するようになると、光クエンチングによる伝導度の減少をもたらすことも見い出された。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Journal of Applied Physics
巻	:	80
号	:	8
ページ数	:	p.4488 - 4490
発行年月	:	1996/10
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キーワード	:	GaAs; Implantation; Hopping Conduction; Photo-quenching

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論文URL	:	https://doi.org/10.1063/1.363423
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Access	:	- Accesses
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InCites™	:	パーセンタイル：8.28 分野：Physics, Applied
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登録番号 : A19960442
抄録集掲載番号 : 47000192
論文投稿番号 : 20869

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