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駒形 栄一*; 河裾 厚男; 薮内 敦*; 前川 雅樹; Batchuluun, C.*; 安田 啓介*; 石神 龍哉*; 久米 恭*; 岩瀬 彰宏*; 堀 史説*
Physics Procedia, 35, p.75 - 79, 2012/00
被引用回数:2 パーセンタイル:62.54(Physics, Particles & Fields)鉄(48重量%)-アルミニウム合金に室温で水素イオンを310及び110/cm注入した試料を作成した。これらの合金に対し、低速陽電子ビームを用いて0.230.2keVのエネルギー範囲においてドップラー広がり測定と陽電子消滅寿命測定を行った。水素イオンの照射により、陽電子消滅Sパラメータが減少した。また陽電子消滅寿命も減少した。これらの結果は、打ち込まれた水素原子は空孔型欠陥に捕獲されていることを示している。
駒形 栄一; 岩瀬 彰宏*; 河裾 厚男; 堀 史説*
no journal, ,
B2型FeAlと水素の相互作用は水素脆性の問題に伴い重要な研究対象であるが、直接的に水素捕獲サイトを明らかにされていない。陽電子を用いた測定はバルク材料中の水素とも直接的に相互作用し、水素の電子の電子状態の検出において敏感な測定手法である。陽電子ビーム法は深さ方向に対して非破壊で選択的な測定ができる。B2型FeAlへのインプランターを用いた水素注入効果を低速陽電子ビーム測定により検出する。B2型FeAl中の水素捕獲サイトを特定する。B2型FeAlに対してイオンインプランターを用いて50keVの加速エネルギーで水素注入を行った。水素未注入B2型FeAl及び水素注入B2型FeAlに対し、陽電子ビーム法を用いた陽電子消滅ドップラー拡がり測定を行い、水素注入効果を評価した。陽電子ビームを用いた陽電子消滅ドップラー拡がり測定により、FeAl中の空孔と水素の相互作用を起こしていることを検出した。B2型FeAlへのインプランターを用いた照射欠陥と水素の同時注入により、水素が空孔に捕獲されていることが検出できた。
駒形 栄一; 薮内 敦; 前川 雅樹; 河裾 厚男; 岩瀬 彰宏*; 堀 史説*
no journal, ,
B2型FeAlは高温材料として利用されている金属間化合物であるが、水素脆化が問題となる。この材料の水素脆化の要因として水素と格子欠陥の相互作用などが挙げられるが、水素の存在状態や非熱平衡欠陥との相互作用等については不明な点が多い。本研究は空孔型欠陥と水素の相互作用を低速陽電子ビームを用いて明らかにすることを目的として行われた。試料はアーク溶解法で作製し、X線回折法を用いてB2構造を持つことを確認した。室温にて50keVのHイオン照射を照射量/cmの範囲内で行った。TRIMを用いた計算により、水素と格子欠陥がともに約300nmの深さに蓄積すると見積もられた。照射試料は、エネルギー可変低速陽電子ビームを用いたドップラー拡がり測定及び陽電子寿命測定を行った。陽電子ビームのエネルギー範囲は0.230.2keVであった。陽電子の侵入深さは0.5nm1.6mと見積もられる。水素が注入された深さ300nmの領域において、Sパラメータの値が低下し、陽電子寿命値が短くなる測定結果を得た。照射により空孔が導入された場合にはSパラメータの値は増加し、陽電子寿命値は長くなるはずである。そのため本実験の測定結果は、水素が格子欠陥に捕獲されていることを示唆している。