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Jiang, L.*; 大島 永康*; O'Rourke, B. E.*; 鈴木 良一*; 原田 祥久*; 鈴木 隆之*; 高津 周平*; 平出 哲也; 高井 健一*
no journal, ,
陽電子消滅法は、原子空孔, 空孔クラスター, ナノボイドなどの欠陥に敏感な分析手法である。産業技術総合研究所に整備されている陽電子プローブマイクロアナライザー(PPMA)は陽電子マイクロビームを走査することで、欠陥分布を観察することが可能である。PPMAを使用する場合、陽電子の打ち込み深さが浅いため、試料の作成時に導入される欠陥は重要な問題である。ここでは、2つの試料加工方法、放電加工のみと放電加工後にコロイダルシリカによる研磨を行うことで導入される欠陥について、SUS316Lのほかいくつかの試料について、これらの加工方法で導入される欠陥の深さ分布を陽電子消滅法で調べた。
Jiang, L.*; O'Rourke, B. E.*; 原田 祥久*; 高津 周平*; 伊藤 賢志*; 大久保 雅隆*; 平出 哲也; 上殿 明良*; 鈴木 良一*; 高井 健一*; et al.
no journal, ,
放電加工により導入される欠陥の深さ依存性をSUS316Lについて、電子線マイクロアナライザー(EPMA),陽電子消滅寿命測定(PALS), X線構造解析(XRD)を用いて調べた。EPMAの結果から10ミクロン以上の深さに大きな影響がみられた。この層は鋳直された部分であると考えられる。PALSとXRDの結果からは、欠陥は50ミクロン程度の深さまで存在していると考えられた。この層は熱が影響している部分であると考えられ、転位と空孔クラスターが存在している。陽電子消滅寿命測定などの手法で観察する場合、放電加工後の試料については100ミクロン程度化学処理により取り除くべきである。