Si(111)-(Au,Ag)構造の相転移

城戸 望*; 一宮 彪彦; 松田 巌*; 深谷 有喜

no journal, , 

Si(111)表面上に形成される構造(以下構造)は構造(以下構造)に相転移することが知られている。本研究ではSi(111)-(Au,Ag)表面からの反射高速電子回折(RHEED)強度の温度依存性から相転移における構造変化を調べた。構造からのRHEED図形における(15/21 18/21)スポット強度の基板温度依存性を測定した結果、強度は室温から100Cまでは一定、それ以上の基板温度で徐々に減少し270Cにおいて消滅し、構造となる。この温度からゆっくり室温に向かって温度を下降させると、相転移温度以下でも構造を保ち、230Cから構造によるスポットが現れる。このことは相から相への相転移では相の核生成を必要とすると考えられる。したがって、この相転移は1次相転移と結論できる。Au蒸着量が0.14ML以下における構造は-Ag表面の一部を被覆しており、構造との境界線上のAu原子は移動しやすいことが知られている。この条件では、相転移温度は低下することを今回見いだした。