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論文

Defect characterization in compositionally graded InGaAs layers on GaAs (001) grown by MBE

佐々木 拓生; Norman, A. G.*; Romero, M. J.*; Al-Jassim, M. M.*; 高橋 正光; 小島 信晃*; 大下 祥雄*; 山口 真史*

Physica Status Solidi (C), 10(11), p.1640 - 1643, 2013/11

 被引用回数:4 パーセンタイル:83.55(Physics, Applied)

Defect characterization in compositionally step graded In$$_{x}$$Ga$$_{1-x}$$As layers with different thickness of the overshooting (OS) layer was performed using cathodoluminescence (CL) and transmission electron microscopy (TEM). We found that the type and in-plane distribution of defects generated in the top InGaAs layer grown on step graded layers strongly depend on the thickness of the OS layer. In the thin OS layer, a high density of threading dislocations aligned along [110] was observed. In the thick OS layer, significant line defects associating composition variation were dominantly present. These features on defect type and distribution would relate to strain and configuration of the OS layer.

論文

Real-time observation of crystallographic tilting InGaAs layers on GaAs offcut substrates

西 俊明*; 佐々木 拓生; 池田 和磨*; 鈴木 秀俊*; 高橋 正光; 下村 憲一*; 小島 信晃*; 大下 祥雄*; 山口 真史*

AIP Conference Proceedings 1556, p.14 - 17, 2013/09

 被引用回数:0 パーセンタイル:0.01(Energy & Fuels)

${it In situ}$ X-ray reciprocal space mapping during In$$_{x}$$Ga$$_{1-x}$$As/GaAs(001) MBE growth is performed to investigate effects of substrate misorientations on crystallographic tilting. It was found that evolution of the crystallographic tilt for the InGaAs films is strongly dependent on both layer structures and substrate misorientations. We discuss these observations in terms of an asymmetric distribution of dislocations.

論文

アルコール溶媒中ヒドロキシイミド化合物の放射線照射におけるLET効果の検討

中川 清子*; 太田 信昭*; 田口 光正; 小嶋 拓治

JAEA-Review 2006-042, JAEA Takasaki Annual Report 2005, P. 142, 2007/02

ヒドロキシマレイミドを2-プロパノールに溶解し窒素置換した後、$$gamma$$線及び220MeV, Cイオンを照射し生成物収率の比較を行った。$$gamma$$線照射によるヒドロキシマレイミドの分解のG値は0.5であり、Cイオン照射ではその1/10以下であった。また、Cイオンの照射エネルギーが低いほど、G値はわずかに小さくなることがわかった。すなわち、LETが高くなると微分G値が小さくなると考えられる。また、$$gamma$$線照射での主反応生成物であるヒドロキシスクシンイミドは、Cイオン照射ではほとんど生成せず、未同定の新しい生成物が観測されることが見いだされた。

論文

石炭灰(フライアッシュ)の高強度吹付けコンクリートへの適用性

尾留川 剛; 小島 亘; 白戸 伸明*; 齋藤 敏樹*

コンクリート工学年次論文集(DVD-ROM), 28(1), p.1637 - 1642, 2006/00

日本原子力研究開発機構が建設する地下研究坑道に、高強度吹付けコンクリート(設計基準強度36N/mm$$^{2}$$)の使用を計画している。そこで、環境保全の観点から石炭火力発電所から発生するフライアッシュを有効利用し、細骨材置換した吹付けコンクリートの配合設計を行うこととした。その結果、フライアッシュの使用により所要の流動性を確保するための高性能減水剤量は若干多くなるものの、単位セメント量及び単位急結剤量を減少させることができ、経済性にも優位であることを確認した。また、施工性はフライアッシュを使用しない場合と遜色なく、高強度吹付けコンクリートに適用可能であることが確認された。

口頭

アルコール溶媒中ヒドロキシイミド化合物の放射線照射におけるLET効果の検討

中川 清子*; 太田 信昭*; 田口 光正; 小嶋 拓治

no journal, , 

ヒドロキシマレイミドを2-プロパノールに溶かし窒素置換した後、$$^{60}$$Co$$gamma$$線及びAVFサイクロトンのCイオン(220MeV)をそれぞれ照射したときの生成物収量の比較を行った。$$gamma$$線照射では分解のG値は0.5であったが、Cイオン照射では微分G値は1/10以下であった。また、入射エネルギーの減少に伴い、微分G値はわずかに減少することがわかった。これは、LETの増加で再結合反応の寄与が増加し、微分G値が減少することが原因と考えられる。

口頭

Coulomb excitation experiments at JAEA

小泉 光生; 藤 暢輔; 大島 真澄; 菅原 昌彦*; 木村 敦; 長 明彦; 初川 雄一; 森川 恒安*; 古高 和禎; 北谷 文人; et al.

no journal, , 

原子力機構では、タンデム加速器施設に設置したGEMINI-II検出器と呼ばれる$$gamma$$線検出器と、LUNAと呼ばれる粒子検出器と組合せ、質量70近傍の原子核のクーロン励起実験を行い、原子核の低励起準位の変形の系統的な研究を行っている。またTRIACを使った不安定核のクーロン励起実験も計画している。本会議では、これまで行ってきたGe, Zn等の研究成果及び、現在解析しているRu等の研究や、将来計画などを報告する。また、解析プログラムGOSIAの問題点について議論する。

口頭

化学安全チームの活動

高橋 伸明; 高田 慎一; 坂口 将尊*; 小嶋 健児*; 粉川 広行; 小林 誠*; 阿久津 和宏*; 田中 志穂*

no journal, , 

MLFでは、ユーザーに安全かつスムースに実験を計画・準備・実施してもらうため、放射線・化学・機器・電気・ガス・計算環境・レーザ等の安全,支援,施設整備・維持・管理を行う業務タスクチームが組織されている。この中で化学安全チームは、原子力機構,高エネルギー加速器研究機構を母体とするJ-PARCセンター員とその業務協力員,CROSS東海職員,茨城県からの協力員を含めた総勢13名のメンバーで構成されており、安全審査,試料情報管理,試料準備のサポート、あるいは実験準備室の維持・管理・整備等の業務を行っている。

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