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films on H-terminated Si(111) with SrO buffer layers町田 ユスト; 朝岡 秀人; 山本 博之; 社本 真一
Surface Science, 600(3), p.724 - 728, 2006/02
被引用回数：6 パーセンタイル：31.23(Chemistry, Physical)SrTiO薄膜はSrOとTiO
原子層を交互に積み重ねた構造を持つ。このことからSi基板上のSrや、SrO層はSrTiOのテンプレートとなると考えられている。われわれは水素終端Siを用いた歪みの少ない良質なSrOバッファー層を用いてこれまでより低温での薄膜作製に成功するとともにSrOバッファー層とのSrTiO薄膜のエピタキシャル成長方位関係を明らかにした。
朝岡 秀人; 町田 ユスト; 山本 博之; 北條 喜一; 斉木 幸一朗*; 小間 篤*
Thin Solid Films, 433(1-2), p.140 - 143, 2003/06
被引用回数：2 パーセンタイル：15.16(Materials Science, Multidisciplinary)Si基板上への酸化物ヘテロエピタキシャル成長は優れた機能物質創成を行ううえで重要である。SrOはゲート酸化膜や強誘電メモリーのほか、酸化物超伝導体の基板として注目されるSrTiO,BaTiOとSi基板とのバッファ層として知られており、半導体基板上への酸化物成長のために重要な役割を果たす。しかしSi表面には活性なダングリングボンドが存在するため格子ひずみが発生し良質な機能性酸化膜の成長を阻害してしまう問題がある。そこで、Si表面のダングリングボンドに水素終端を行い不活性化した基板上へのエピタキシャル酸化物成長させた薄膜に関して、格子ひずみを検証するため成長過程の格子変化を電子線回折法によりリアルタイムで測定した。その結果厚さ1nmからひずみのない良質薄膜が成長していることを確認した。
朝岡 秀人; 町田 ユスト; 山本 博之; 北條 喜一; 斉木 幸一朗*; 小間 篤*
Solid State Communications, 124(7), p.239 - 242, 2002/11
被引用回数：7 パーセンタイル：38.76(Physics, Condensed Matter)Si半導体表面のダングリングボンドに水素終端を行い不活性化した基板上に、面心立法構造のSr金属をエピタキシャル成長させ、酸化処理を行うことによりNaCl構造のエピタキシャルSrO酸化物薄膜を作製した。SiとSrとの格子不整合は12.0%と大きくこれまで良質な薄膜が得られなかったが、不活性化したSi基板面を用いることによって弱い相互作用で物質間結合がなされ格子不整合度による成長物質の制約が緩和されることから良質な金属薄膜の成長が可能となる。1原子層目のSr格子間隔はSi基板表面からの相互作用で圧縮されるが、膜厚の増加とともにSr固有の格子間隔での成長が進行する。膜成長時にレーザービームを用いた基板曲率測定を行った結果、水素終端Si基板上への薄膜は水素終端を行わなかったSi基板と比較し、内部応力が大幅に緩和され、数原子層目から内部応力の存在しない薄膜が成長したことが確認された。また金属成長と酸化過程において薄膜が圧縮応力を受けていた環境から、一転して引張応力へと変化し物質間の格子の大小関係から薄膜内応力の制御が可能であることを示した。
