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論文

軟X線による物質アブレーション

牧村 哲也*; 錦野 将元; 河内 哲哉

レーザー研究, 42(1), p.45 - 49, 2014/01

プラズマ軟X線レーザー,レーザープラズマ軟X線源, X線自由電子レーザーの開発により、軟X線によるアブレーションが実現できるようになってきた。波長が短い光を用いることから、高い解像度および高いアスペクト比の改質、加工が期待できる。本論文では、おおよそ波長5nmから40nmの範囲の軟X線を固体に照射し、その表面から構成原子が爆発的に剥ぎ取られるアブレーションについて考察する。まず、従来の赤外から紫外までのレーザーによるレーザーアブレーションと比較しながら、軟X線によるアブレーションの特徴を述べる。次に、ナノ秒レーザープラズマ軟X線およびプラズマ軟X線レーザーによるアブレーションの研究の現状と将来展望について述べる。

口頭

XeF$$_{2}$$を用いた放射光高速エッチングビームラインの設計と製作

中井 直史*; Chiang, T.-Y.*; 宇野 秀隆*; 手老 龍吾*; 鈴井 光一*; 寺岡 有殿; 吉越 章隆; 牧村 哲也*; 村上 浩一*; 宇理須 恒雄*

no journal, , 

SF$$_{6}$$を反応ガスとして用いたSiO$$_{2}$$のエッチングをMEMSなどに応用する場合にはミクロンオーダー深さのエッチングを行う必要があり、従来よりもエッチレートを二桁大きくする必要がある。XeF$$_{2}$$を用いたドライエッチングはSiに対するエッチレートが600nm/minと大きく、MEMS等でしばしば用いられているが、等方性エッチングとなり、SiO$$_{2}$$がエッチングできないなど材料選択上の制約も多い。そこで、XeF$$_{2}$$と放射光を併用した光励起エッチングを行うことにより、SiO$$_{2}$$の異方性エッチングを可能とする。そのためにXeF$$_{2}$$放射光エッチング用セルを設計し、製作した。

口頭

XeF$$_{2}$$を用いた放射光高速エッチングビームラインの設計と製作

中井 直史*; 宇野 秀隆*; Zhang, Z.*; 手老 龍吾*; 鈴井 光一*; 寺岡 有殿; 吉越 章隆; 牧村 哲也*; 村上 浩一*; 宇理須 恒雄*

no journal, , 

分子科学研究所のUVSOR施設では、シリコン基板にガス化したXeF$$_{2}$$を作用させながら白色放射光を照射することで高速エッチングを行うための白色放射光ビームラインを設計,製作した。既存のビームラインに差動排気装置を増設し、実験装置は新たに製作した。固体状のXeF$$_{2}$$を昇華させ、シリコン基板をガス状のXeF$$_{2}$$分子に暴露した状態をつくり、そこに白色放射光を照射してシリコンの放射光励起エッチングを行う。シリコンに吸着したフッ素がフッ化シリコンとして脱離しやすいために高速のエッチングが実現できた。

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