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XeF$$_{2}$$を用いた放射光高速エッチングビームラインの設計と製作

Design and manufacturing of synchrotron radiation beamline for high speed etching with XeF$$_{2}$$

中井 直史*; Chiang, T.-Y.*; 宇野 秀隆*; 手老 龍吾*; 鈴井 光一*; 寺岡 有殿; 吉越 章隆 ; 牧村 哲也*; 村上 浩一*; 宇理須 恒雄*

Nakai, Naofumi*; Chiang, T.-Y.*; Uno, Hidetaka*; Tero, Ryogo*; Suzui, Koichi*; Teraoka, Yuden; Yoshigoe, Akitaka; Makinura, Tetsuya*; Murakami, Koichi*; Urisu, Tsuneo*

SF$$_{6}$$を反応ガスとして用いたSiO$$_{2}$$のエッチングをMEMSなどに応用する場合にはミクロンオーダー深さのエッチングを行う必要があり、従来よりもエッチレートを二桁大きくする必要がある。XeF$$_{2}$$を用いたドライエッチングはSiに対するエッチレートが600nm/minと大きく、MEMS等でしばしば用いられているが、等方性エッチングとなり、SiO$$_{2}$$がエッチングできないなど材料選択上の制約も多い。そこで、XeF$$_{2}$$と放射光を併用した光励起エッチングを行うことにより、SiO$$_{2}$$の異方性エッチングを可能とする。そのためにXeF$$_{2}$$放射光エッチング用セルを設計し、製作した。

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