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Wang, H.*; 大津 秀暁*; 千賀 信幸*; 川瀬 頌一郎*; 武内 聡*; 炭竃 聡之*; 小山 俊平*; 櫻井 博儀*; 渡辺 幸信*; 中山 梓介; et al.
Communications Physics (Internet), 2(1), p.78_1 - 78_6, 2019/07
被引用回数:8 パーセンタイル:55.71(Physics, Multidisciplinary)陽子(あるいは中性子)過剰核の効率的な生成経路を探索することは、原子核反応研究の主な動機のひとつである。本研究では、Pdに対する核子当たり50MeVの陽子および重陽子入射による残留核生成断面積を逆運動学法によって測定した。その結果、重陽子入射ではAgやPd同位体の生成断面積が大きくなることを実験的に示した。また、理論計算による解析から、この生成断面積の増大は重陽子の不完全融合反応に起因することを示した。これらの結果は、陽子過剰核の生成において重陽子のような弱束縛核の利用が有効であることを示すものである。
平賀 健太*; 豊島 弘明*; 中島 淳貴*; 田中 博也*; 大野 真也*; 田中 正俊*; 関口 哲弘; 平尾 法恵; 下山 巖; 馬場 祐治
no journal, ,
半導体表面上に成長させた有機分子薄膜の立体分子構造を解析することは有機半導体の微細構造技術において重要である。SiO/Si(001), HO/Si(001), CH/Si(001), WSe, GaSeなど様々な半導体表面上に-6チオフェン(-6T)分子を真空蒸着し、X線吸収端微細構造法により成長過程を研究した。表面基板の違いにより-6T分子の配向状態は大きく異なった。例えば、-6T/GaSe系では6T分子主軸は基板平行に寝て配向するのに対し、-6T/SiO/Si(001)では分子は立って配向する。