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論文

Atomistic nitriding processes of titanium thin films due to nitrogen-implantation

粕壁 善隆*; 西田 晋作*; 山本 春也; 吉川 正人; 藤野 豐*

Applied Surface Science, 254(23), p.7942 - 7946, 2008/09

 被引用回数:7 パーセンタイル:35.82(Chemistry, Physical)

本研究では、原子力機構のイオン導入型電子顕微鏡を利用して、窒素イオン注入法による窒化Ti薄膜の形成過程を透過電子顕微鏡法及び電子エネルギー損失分光法でその場観察・評価し、分子軌道計算による電子状態の評価と合わせて、窒化Ti薄膜の形成機構及び配向の制御性に関する知見を得てきた。本発表では、窒素イオン注入によるチタン薄膜の窒化過程と電子構造から考察した構造変態について発表する。

論文

Characterization of carbonizing processes of titanium thin films by carbon-implantation

粕壁 善隆*; 山村 力*; Wang, J. J.*; 西田 晋作*; 山本 春也; 吉川 正人

JAEA-Review 2006-042, JAEA Takasaki Annual Report 2005, P. 146, 2007/02

チタン(Ti)の炭化物は、組成により結晶構造が変化し、共有結合性,金属結合性,イオン結合性を合わせ持つ興味ある物性を示す。本研究では、炭素イオン注入法によるTi炭化物薄膜の成長素過程を透過電子顕微鏡法(TEM)でその場観察し分子軌道計算の結果と合わせて、Ti炭化物薄膜の形成機構及び制御性に関する知見を得て、新しい高機能材料作製への指針を得ることを目的とした。蒸着Ti薄膜への炭素イオン注入の結果、NaCl型TiCz(格子定数:a=0.432nm)が優先的に成長していることがわかった。さらに、hcp-Ti格子の2つの(00$$cdot$$1)面間の局所的な原子配列を引き継ぎながら、隣接する(00$$cdot$$1)面間のTi原子の8面体位置に炭素が侵入することで誘起される原子移動を伴って(001)配向TiCzが形成されることが明らかとなった。

口頭

イオン注入法による不定比化合物チタン炭化物薄膜の成長機構

粕壁 善隆*; 山村 力*; Wang, J. J.*; 西田 晋作*; 山本 春也; 吉川 正人

no journal, , 

チタン(Ti)の炭化物,窒化物は、組成によりhcp構造からNaCl型構造に変化し、共有結合性,金属結合性,イオン結合性を合わせ持つ興味ある物性を示す。そこで本研究では、炭素イオン注入法によるTi炭化物薄膜の成長素過程を透過電子顕微鏡法(TEM)でその場観察し分子軌道計算の結果とあわせて、Ti炭化物薄膜の形成機構及び制御性に関する知見を得て、新しい高機能材料作製への指針を得ることを目的とした。蒸着Ti薄膜への炭素イオン注入の結果、NaCl型TiC$$_{z}$$(格子定数: a=0.432nm)が優先的に成長していることがわかった。さらに、hcp-Ti格子の2つの(00$$cdot$$1)面間の局所的な原子配列を引き継ぎながら、隣接する(00$$cdot$$1)面間のTi原子の8面体位置に炭素が侵入することで誘起される原子移動を伴って(001)配向TiCzが形成されることが明らかとなった。

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