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論文

Roles of strain and carrier in silicon oxidation

小川修一*; 吉越章隆; Tang, J.*; 堰端勇樹*; 高桑雄二*

Japanese Journal of Applied Physics, 59(SM), p.SM0801_1 - SM0801_42, 2020/07

https://doi.org/10.35848/1347-4065/ab82a9

被引用回数：4 パーセンタイル：31.34(Physics, Applied)

この論文では、SiO $_{2}$ /Si界面付近の点欠陥生成を介したSi酸化反応の統一モデルに関するレビューをする。この点欠陥は放出されたSi原子と空孔からなり、このダングリングボンドにおいてO $_{2}$ 分子の解離吸着が起きる。点欠陥の生成速度が、酸化にともない誘起される歪み、SiとSiO $_{2}$ 間の熱膨張係数の違いに起因する熱歪み、熱励起によるSi放出の速度および吸着熱の組み合わせによって与えられることを示す。

口頭

Comparison of initial oxidation kinetics between p- and n-type Si(001) surfaces studied by real-time photoelectron spectroscopy

堰端勇樹*; 小川修一*; 吉越章隆; 多賀稜*; 石塚眞治*; 高桑雄二*

no journal, ,

本研究では、p型およびn型Si表面の酸化キネティクスの違いをリアルタイム光電子分光によって明らかにした。室温では、n型Si(001)の酸化速度定数がp型より大きい。n型Si(10)表面の仕事関数は負であったが、p型では正であった。このことから、酸素原子は、Si-O結合において負電荷を持つので、酸素はn型Si(001)では表面に配置する。一方、p型の場合はサブサーフェイスに潜ると結論した。n型Si(001)基板は、多くの電子を有するため電子は表面に染み出す。その結果、酸化反応がn型Si(001)表面において促進される。これらの結果から、酸化キネティクスの違いは電導度に依存することが分かった。