Roles of strain and carrier in silicon oxidation

シリコン酸化における歪とキャリアーの役割

小川 修一*; 吉越 章隆 ; Tang, J.*; 堰端 勇樹*; 高桑 雄二*

Ogawa, Shuichi*; Yoshigoe, Akitaka; Tang, J.*; Sekihata, Yuki*; Takakuwa, Yuji*

この論文では、SiO/Si界面付近の点欠陥生成を介したSi酸化反応の統一モデルに関するレビューをする。この点欠陥は放出されたSi原子と空孔からなり、このダングリングボンドにおいてO分子の解離吸着が起きる。点欠陥の生成速度が、酸化にともない誘起される歪み、SiとSiO間の熱膨張係数の違いに起因する熱歪み、熱励起によるSi放出の速度および吸着熱の組み合わせによって与えられることを示す。

In this paper, we review the study of the unified Si oxidation reaction model mediated by point defect generation, in which O dissociative adsorption occurs at dangling bonds of point defects (emitted Si atoms and vacancies) at the SiO/Si interface, and the point defect generation rate is given by a combination of oxidation-induced strain, thermal strain due to the difference in thermal expansion coefficient between Si and SiO, thermal excitation of Si emission rate, and heat of adsorption.